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AVR内部EEPROM读写范例

AVR内部EEPROM读写范例

点击数:7594 次   录入时间:03-04 11:58:51   整理:http://www.55dianzi.com   AVR单片机

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****      AVR 内部EEPROM读写范例        ***

**** 编译器:WINAVR20050214               ***

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本程序简单的示范了如何使用ATMEGA16的EERPOM

    EEPROM的简介

    EEPROM的写操作

    EEPROM的读操作

出于简化程序考虑,各种数据没有对外输出,学习时建议使用JTAG ICE硬件仿真器。

       在打开调试文件到JTAG后,打开Debug -> JTAG ICE Options菜单,然后在JTAG ICE Properties中点击Dbug页面,将preserve eeprom选项选中。       在每次仿真调试时候,就保护EEPROM内容了。否则,会按照默认设置擦除EEPROM的内容。

       由于定义了EEPROM变量,JTAG调试时会询问是否初始化EEPROM,请选择[否],EEPROM的数据也可以在view->memory,选Eeprom窗口下察看

*/

#i nclude

#i nclude

////时钟定为内部1MHz,F_CPU=1000000  时钟频率对程序的运行没什么影响

/*

GCCAVR(avr-libc)里面自带了EEPROM的读写函数。

下面列举部分常用函数(原型)

#define eeprom_is_ready() bit_is_clear(EECR, EEWE)

检测EEPROM是否准备好。OK返回1(返回EEWE位)

#define eeprom_busy_wait() do {} while (!eeprom_is_ready())

等待EEPROM操作完成

extern uint8_t eeprom_read_byte (const uint8_t *addr);

读取指定地址的一个字节8bit的EEPROM数据

extern uint16_t eeprom_read_word (const uint16_t *addr);

读取指定地址的一个字16bit的EEPROM数据

extern void eeprom_read_bLOCk (void *buf, const void *addr, size_t n);

读取由指定地址开始的指定长度的EEPROM数据

extern void eeprom_write_byte (uint8_t *addr, uint8_t val);

向指定地址写入一个字节8bit的EEPROM数据

extern void eeprom_write_word (uint16_t *addr, uint16_t val);

向指定地址写入一个字16bit的EEPROM数据

extern void eeprom_write_block (const void *buf, void *addr, size_t n);

由指定地址开始写入指定长度的EEPROM数据,但不支持部分AVR,原文如下:

\note This library will \e not work with the following devices since these

    devices have the EEPROM IO ports at different locations:

    - AT90CAN128

    - ATmega48

    - ATmega88

    - ATmega165

    - ATmega168

    - ATmega169

    - ATmega325

    - ATmega3250

    - ATmega645

    - ATmega6450

在程序中对EEPROM 操作有两种方式:

方式一:直接指定EERPOM 地址

    即读写函数的地址有自己指定,用于需要特定数据排列格式的应用中

方式二:先定义EEPROM 区变量法

       在这种方式下变量在EEPROM 存储器内的具体地址由编译器自动分配。

       相对方式一,数据在EEPROM 中的具体位置是不透明的。

       为EEPROM 变量赋的初始值,编译时被分配到.eeprom 段中,可用avr-objcopy 工具从.elf文件中提取并产生ihex 或binary 等格式的文件,       从而可以使用编程器或下载线将其写入到器件的EEPROM 中。实际上WINAVR 中MFILE 生成的MAKEFILE 已经为我们做了这一切。它会自动生成以 “.eep” 为后缀的文件,通常它是iHex 格式(这次测试发现 分配地址是从0x0000开始的,故增加了一个EEPROM变量Evalvoid[16]),如果同时使用方式1和2,请注意防止地址重叠,自己指定的地址应该选在后面。

*/

//全局变量

unsigned char EDATA;

unsigned char ORGDATA[16]={0x00,0x02,0x04,0x06,0x08,0x0A,0x0C,0x0E,

                                             0x01,0x03,0x05,0x07,0x09,0x0B,0x0D,0x0F};     //原始数据

unsigned char CMPDATA[16];                                                                                   //比较数据

//仿真时在watch窗口,监控这些全局变量。

//EEPROM 变量定义

unsigned char Evalvoid[16] __attribute__((section(".eeprom"))); //这个没用到

unsigned char Eval[16] __attribute__((section(".eeprom")));

int main(void)

{

       eeprom_write_byte (0x40,0xA5);         //向EEPROM的0x40地址写入数据 0xA5

       EDATA=eeprom_read_byte (0x40);             //读出,然后看看数据对不对?

       //上面两句编译是有如下警告,但不必理会

       //EEPROM_main.c:103: warning: passing arg 1 of `eeprom_write_byte' makes pointer from integer without a cast

       //EEPROM_main.c:104: warning: passing arg 1 of `eeprom_read_byte' makes pointer from integer without a cast

       eeprom_write_block (&ORGDATA[0], &Eval[0], 16);              //块写入

       //看看EEPROM数据是否是能失电永久保存,可以注释上面这句程序(不写入,只是读出),然后编译,烧写,断电(一段时间),上电,调试。

       eeprom_read_block (&CMPDATA[0],&Eval[0], 16);       //块读出,然后看看数据对不对?

      

    while (1);   

}

/*

ATmega16 包含512 字节的EEPROM 数据存储器。它是作为一个独立的数据空间而存在的,可以按字节读写。EEPROM的寿命至少为100,000 次擦除周期。EEPROM的访问由地址寄存器EEAR、数据寄存器EEDR和控制寄存器EECR决定。也可以通过ISP和JTAG及并行电缆来固化EEPROM数据。

EEPROM数据的读取:

       当EEPROM地址设置好之后,需置位EERE以便将数据读入EEDR。

       EEPROM数据的读取需要一条指令,且无需等待。

       读取EEPROM后CPU 要停止4 个时钟周期才可以执行下一条指令。

注意:用户在读取EEPROM 时应该检测EEWE。如果一个写操作正在进行,就无法读取EEPROM,也无法改变寄存器EEAR。

EEPROM数据的写入:

1、 EEPROM的写访问时间(自定时时间,编程时间)

    自定时功能可以让用户软件监测何时可以开始写下一字节。(可以采用中断方式)

       经过校准的1MHz片内振荡器用于EEPROM定时,不倚赖CKSEL熔丝位的设置。

       改变OSCCAL寄存器的值会影响内部RC振荡器的频率因而影响写EEPROM的时间。

       EEPROM自定时时间约为8.5 ms 即1MHz片内振荡器的8448个周期

注意:这个时间是硬件定时的,数值比较保险,其实真正的写入时间根本就用不了8.5mS那么长,而且跟电压有关,但芯片没有提供其他的检测编程完成的方法

这个问题表现在旧版的AT90S系列上面,由于没有自定时,数值定得太短,ATMEL给人投诉到头都爆,呵呵!

参考:《用ATmega8535替换AT90S8535》文档里面的写EEPROM定时的改进:

在AT90S8535中写EEPROM的时间取决于供电电压,通常为 2.5ms@VCC=5V , 4ms@VCC=2.7V 。

     ATmega8535中写EEPROM的时间为8448个校准过的RC振荡器周期 (与系统时钟的时钟源和频率无关)。

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