假定校准过的RC振荡器为1.0MHz，则写时间的典型值为8.4ms，与VCC 无关。
2、为了防止无意识的EEPROM 写操作，需要执行一个特定的写时序(如果使用编译器的自带函数，无须自己操心)写时序如下( 第3 步和第4 步的次序并不重要)：
①等待EEWE 位变为零
②等待SPMCSR 中的SPMEN 位变为零
③将新的EEPROM 地址写入EEAR( 可选)
④将新的EEPROM 数据写入EEDR( 可选)
⑤对EECR 寄存器的EEMWE 写"1"，同时清零EEWE
⑥在置位EEMWE 的4 个周期内，置位EEWE
经过写访问时间之后，EEWE 硬件清零。
用户可以凭借这一位判断写时序是否已经完成。
EEWE 置位后，CPU要停止两个时钟周期才会运行下一条指令。
注意：
1、在CPU 写Flash 存储器的时候不能对EEPROM 进行编程。
在启动EEPROM 写操作之前软件必须检查 Flash 写操作是否已经完成
步骤(2) 仅在软件包含引导程序并允许CPU对Flash 进行编程时才有用。
如果CPU 永远都不会写Flash，步骤(2) 可省略。
2、如果在步骤5 和6 之间发生了中断，写操作将失败。
因为此时EEPROM 写使能操作将超时。
如果一个操作EEPROM的中断打断了另一个EEPROM操作，EEAR 或EEDR寄存器可能被修改，引起EEPROM 操作失败。
建议此时关闭全局中断标志I。
经过写访问时间之后，EEWE 硬件清零。用户可以凭借这一位判断写时序是否已经完成。
EEWE 置位后，CPU要停止两个时钟周期才会运行下一条指令。
在掉电休眠模式下的EEPROM写操作：
若程序执行掉电指令时EEPROM 的写操作正在进行， EEPROM 的写操作将继续，并在指定的写访问时间之前完成。
但写操作结束后，振荡器还将继续运行， 单片机 并非处于完全的掉电模式。因此在执行掉电指令之前应结束EEPROM 的写操作。
防止EEPROM数据丢失：
若电源电压过低，CPU和EEPROM有可能工作不正常，造成EEPROM数据的毁坏(丢失)。
**这种情况在使用独立的EEPROM 器件时也会遇到。因而需要使用相同的保护方案。
由于电压过低造成EEPROM 数据损坏有两种可能：一是电压低于EEPROM 写操作所需要的最低电压；二是CPU本身已经无法正常工作。
EEPROM 数据损坏的问题可以通过以下方法解决：当电压过低时保持AVR RESET信号为低。这可以通过使能芯片的掉电检测电路BOD来实现。如果BOD电平无法满足要求则可以使用外部复位电路。若写操作过程当中发生了复位，只要电压足够高，写操作仍将正常结束。(EEPROM在2V低压下也能进行写操作---有可以工作到1.8V的AVR芯片)
掉电检测BOD的误解：
AVR自带的BOD(Brown-out Detection)电路，作用是在电压过低(低于设定值)时产生复位信号，防止CPU意外动作。
对EEPROM的保护作用是当电压过低时保持RESET信号为低，防止CPU意外动作，错误修改了EEPROM的内容
而我们所理解的掉电检测功能是指 具有预测功能的可以进行软件处理的功能。
例如，用户想在电源掉电时把SRAM数据转存到EEPROM，可行的方法是外接一个在4.5V翻转的电压比较器(VCC=5.0V,BOD=2.7V)，输出接到外部中断引脚(或其他中断)一但电压低于4.5V,马上触发中断，在中断服务程序中把数据写到EEPROM中保护起来。
注意：写一个字节的EEPROM时间长达8mS，所以不能写入太多数据，电源滤波电容也要选大一些。
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