IGBT的控制特性

    通常的观念，认为IGBT器件是电压型控制器件-----为栅偏压控制，只需提供一定电平幅度的激励电压，，而不需吸取激励电流。在小功率电路中，仅由数字门电路，就可以驱动MOS型绝缘栅场效应晶体管，做为IGBT，输入电路恰好具有MOS型绝缘栅场效应晶体管的特性，因而也可视为电压控制器件。这种观念确实有失偏颇。因结构和工艺的原因，IGBT 的栅-射结间形成了一个名为的结电容，对导通和截止的控制，其实就是Cge进行的充、放电控制。的激励脉冲电压，提供了Cge的一个充电电流通路，IGBT因之而导通；-7.5V的负向脉冲电压，将Cge上的"已充电荷强行拉出来"，起到快速中和作用，IGBT因之而截止。

    假定IGBT只对一个工作频率为零的直流电路进行通断控制，对Cge一次性充满电荷后， 几乎不再需要迸行充、放电的控制，那么将此电路中的IGBT说成是电压控制器件，是成立的。而问题是：变频器输出电路中的了工作于数千赫兹的频率之下，其栅偏压也为数千赫兹频率的脉冲电压！ 一方面，对于这种较高频率的信号，Cge的呈现出的容抗是较小的， 故形成了较大的充、放电电流。另一方面，要使IGBT可靠和快速的导通（力争使管子有较小的导通内阻)，在IGBT的允许工作区内，就要提供尽可能大的驱动电流（充电电流)。对于截止的控制也是一样，须提供一个低内阻（欧姆级）的外部泄放电路，将栅-射结电容上的电荷极快地泄放掉！

    大家都知道电容为储能元件，本身不消耗功率，称为容性负载。但正犹如输、配电线路的道理一样，除了电源必须提供容性元件的无功电流（无功功率）外，无功电流也必然带来了线路电阻上的损耗！驱动电路的功率损耗主要集中在栅极电阻和末级放大管的导通内阻上。我们常看到一尤其是大功率变频器——驱动电路的输出级其实是一个功率放大电路， 常由中功率甚至大功率对管、几瓦的栅极电阻等元器件构成，说明IGBT的驱动电路是消耗一定功率的，是需要输出一定电流的。

    而从上述分析可看出：应用在变频器输出电路IGBT，恰恰应该说是电流或说是功率驱动器件，而不纯为电压控制器件。

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