用分立元件仿制STR6020S厚膜电路

　　现以STR6020S厚膜电路为例，介绍用分立元件仿制方法。
　　
　　电路中所用电阻选用1W金属膜电阻，其中，Rl为239 kΩ，R2为3.6 kΩ，R3为3.8 kΩ，R4为22 kΩ，R5为8 kΩ；VTl选用B≥15、1cm≥3 A、PCM≥50 W的高反压硅NPN晶体管，如：DF104C、D1942.3DA582等；VT2可选用3CG160B、C615D、3CG121C等；VT3可选用3DG110C、3DG150C、3DA93G等。调电阻R4，使输出电压为111 V即可，然后除掉假负载上机调试。

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