1变频器常用逆变器件简介
变频调速在调速领域越来越占据主导地位。
70年代，大功率晶体管（GTR）的开发成功，奠定了变频调速技术的基础。80年代，绝缘栅双极晶体管（IGBT）的出现，使其工作频率比GTR又提高了一个数量级。从而使变频调速技术又向前迈进了一步。趋近于直流调速的性能和明显的节能效果，使变频调速的应用日益广泛。但GTR或IGBT在能实现高速开断的同时，也显示出其对耗散功率的脆弱性。在运行过程中，躲过放大状态这一工作禁区，实现对GTR或IGBT的保护显得尤为重要。
1.1大功率晶体管GTR
GTR是一种放大器件，变频器用的GTR一般都是达林顿复合晶体管，具有3种工作状态。
（1）放大状态
其基本工作特点是集电极电流IC的大小随基极流IB而变化，即IC=βIB.GTR处于放大状态时，其耗散功率PC较大。设UC=200V，RC=10Ω，β=50，IB= 200mA.则：IC=β×IB=50×0.2=10（A）
UCE=UC-IC×RC=200-10×10 =100（V）
PC=UCE×IC=100×10=1（kW）
（2）饱和状态
IB增大时，IC随之而增大的状态必然要受到欧姆定律的制约。当β×IB>UC/RC时，IC=βIB的关系便不能再维持了，这时，GTR开始进入"饱和"状态。当IC的大小几乎完全由欧姆定律决定，即ICS≈UC/RC时，GTR便处于深度的饱和状态。据测定，GTR的饱和压降UCES约为1～5V.GTR处于饱和状态时的功耗是很小的。
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