上例中，设UCES=2V，则ICS=UC/RC=200/10=20（A）
PC=UCES×ICS=2×20=40（W）
可见，与放大状态相比，虽然电流较大，但因GTR饱和压降极小，PC极小。
（3）截止状态
这是基极电流IB≤0的结果。在截止状态，GTR中只有很微弱的漏电流流过，因此，其功耗是微不足道的。
GTR在逆变电路中是用来作为开关器件的，其工作过程，总是在饱和状态和截止状态间进行交替。所以，逆变用的GTR的额定功耗通常是很小的。而如上所述，如果GTR处于放大状态，其功耗将增大百倍以上。所以，逆变电路中的GTR不允许在放大状态下停留。
1.2绝缘栅双极晶体管IGBT
IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构的MOS晶体管。其主电路部分与GTR相同，只是控制信号为电压信号，输入阻抗很高，栅极电流几近于0，故驱动功率很小。而GTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大。
2逆变器件的特点和工作禁区
逆变器件的特点是：击穿电压很高（如GTR和IGBT的击穿电压已可达到1200V），最大允许电流也很大（如IGBT的集电极最大饱和电流已超过1500A），但允许功耗却很小。所以，逆变器件只能工作在开关状态，而绝对不允许工作在放大状态。一旦工作在放大状态，例如：工作电流500A，管压降为100V，其功耗为PC=500×100=50kW，远远超过了允许功耗，逆变管将迅速损坏。所以，逆变器件在工作过程中，绝不允许在放大区这一工作禁区稍作停留。
3变频器内直流电源的类型及突然停电后的状态
3.1主电路的直流电源
本文关键字：变频器 变频器基础，变频技术 - 变频器基础
上一篇：如何使用通用变频器
