另一个热插拔应用(图2a和2b)电路使用一个PNP晶体管(Q1)和一个电流检测电阻(R1)，以提供连续电流感应和限制。由于权力是通过应用，电流流R1和第二季度的负载。电流通过R1 VBE中创造了第一季度的偏置电压。如果电流足够大，以第一季度的偏见，然后通过限制第一季度第二季度到负载传导通过降低栅源电压的第二季度。请注意，齐纳二极管可在第二季度的栅源交界的图1a()，以防止对第二季度和第一季度的VCE过电压击穿的补充。
图2a。另一个热插拔电路实现电流感应及2A与PNP晶体管(第一季)限制。这说明了开启在图2b波形。
图2b。 CH1为电流; CH2的是第二季度栅极电压。
此电路的优点，与图1a是，目前的限制是始终启用。这种积极的功能附带了一个缺点：与负载系列R1的增加功耗。此外，电流限制可以更改高达± 20的Q1的VBE中在温度变化范围为-40 ° C至+85 ° C的后果%在图1a(在图2a，如果将齐纳二极管)应足够小，以保护晶体管，但足以让场效应管其身份证在最低范围内充分传导的RDS(ON)。
优势热插拔电路
集成电路为基础的热交换电路提供小型封装许多功能，他们需要很少的外部元件。图3a，例如，显示了低电压热插拔应用程序，只需要一个电流检测电阻(R1)和2.7之间的一系列通元操作(第一季度)至13.2V。该电路提供浪涌电流限制(图3b)和双过电流故障保护，而从高振幅电路故障和一个低振幅反应迟缓MAX4370组成快速反应，破坏性的过电流条件。
图3a。一个IC的热插拔电路使用MAX4370提供了更好的准确性和使用的几部分
图3b。请注意在该启动波形范围阴谋ILOAD限制。数据生成与MAX4370热插拔控制器。
在MAX4370已连续电流监测，并在图2a的电路。在MAX4370的版本，但是，具有较好的初始精度和更好的比图2a离散版本的高温性能。在图2a PNP晶体管有一个为2mV /℃，生产范围内为± 120mV时近似输出温度偏移变化从-40℃至85℃，25℃起典型VBE中漂移为± 6.5mV和±为慢速和快速电流限制在20mV的比较图3a MAX4370，但是，展览的最大漂移。
晶体管的VBE中指定很少，但MAX4370有一个电压跳变点是明确和低得多：50mVTH，这是十二分之一是在0.6V的VBE中。其结果是一个具有更少的功耗更小检测电阻。此外，该集成电路为基础的电路做图1a和2a的电路不能：
利用成本较低的n通道MOSFET
提供一个状态输出
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