已知了差模电压和共模电压的增益，便可得到共摸抑制比
或 
（dB）
在相同的差模增益下，共模增益越小，抑制零漂的能力越强。
差模电压增益越大，共模电压增益越小，则共模抑制能力越强。放大电路性能越优良，因此希望KCMR越大越好。
双端输出时，电路完全对称的理想情况下，由于共模增益Aoc = 0 ，所以KCMR = ¥。
单端输出时，
若用电流源替换Re ，则共模抑制比为
由此看出，电流源等效电阻r0越大，抑制共模信号的能力越强，这与前面分析的结论是一致的。
在考虑差模信号和共模信号同时作用时，单端输出的总电压为
由上式可知，共模抑制比愈高，输出电压中所含的共模信号成分就愈小。
FET差分式放大电路的特点
输入阻抗高，输入偏置电流很小。
JFET构成的差分式放大电路：输入电阻可达1012W，输入偏置电流约为100pA数量级；
MOSFET差分式放大电路：输入电阻则可达1015W，输入偏置电流在10pA以下。
FET差分式放大电路的分析
FET差分式放大电路的电路结构、工作原理和分析方法与BJT差分式放大电路基本相同，并具有相同的电路特点，只不过是用FET的小信号模型来分析计算而已。
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