高频振荡器的频率调制一般用变容二极管来实现,但变容二极管的电压变化要大才能达到合适的电容变化,这给以电池为能源,电压较低的系统带来困难。
现介绍一种基极充电调制方法。双极晶体管的基极充电电容与集电极电流成正比。Cb=λf×QIC/KT式中:Cb=基极充电电容;λf=基极过渡时间;IC=集电极电流;q=电荷;K=波尔滋曼常数;T=温度(K)
电阻R1确定Q1的电流,调制输入电压Vmod通过R2控制集电极电流。负阻抗型振荡器的波导线决定振荡频率,T1(T8800)是高质低损耗瓷同短1/4波长波导线。在合适的端阻抗下,Q1的基极可呈现负阻抗,T1与此负阻抗相互作用产生连续振荡。
改变Q1的电流,再改变充电电容来完成频率调制。
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