IGBT驱动电路的设计规则

　　1.采用合适的开通和关断电阻；

　　考虑过压和反向恢复电流

　　2.IGBT门极和发射极的保护措施

　　（1）必须进行防静电处理

　　（2）电路的保护措施

　　①门极和发射极间的电阻–4.7kOhmto10kOhm

　　②双向稳压二极管(16.8V–17.5V)

　　③GE间加入小电容去掉振荡

　　3.必须考虑上下管同时导通的情况因为

　　（1）dv/dt太高(米勒电容会产生一个电流，而且还改变集射极的电压（考虑到门限电压值），在门极和发射极中加入负电压进行关断可以避免这个问题。

　　（2）上下桥臂ＩＧＢＴ的开通和关断延迟

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