IGBT管过流保护电路的分类

　　这种过载电流保护电路一旦动作后，要通过复位才能恢复正常工作。

　　②短路保护。IGBT管能承受短路电流的时间很短，能承受短路电流的时间与该IGBT管的导通饱和压降有关，随着饱和导通压降的增加而延长。如饱和压降小于2V的IGBT管允许承受的短路时间小于5μs，而饱和压降为3V的IGBT管允许承受的短路时间可达15μs，4～5V时可达30μs以上。存在以上关系是由于随着饱和导通压降的降低，IGBT管的阻抗也降低，短路电流同时增大，短路时的功耗随着电流的平方增大，造成承受短路的时间迅速缩短。

　　原则上，IGBT管都是安全短路器件。也就是说，它们在一定的外部条件下可以承受短路电流，然后被关断，而器件不会损坏。在考察短路时，要区分以下两种情况：

　　a．短路I。短路I是指IGBT管开通于一个已经短路的负载回路中。也就是说，在正常情况下的直流母线电压全部降落在IGBT管上。短路电流的上升速度由驱动参数（驱动电压、栅极电阻）所决定。由于短路回路中寄生电感的存在，这一电流的变化将产生一个电压降，其表现为集电极一发射极电压特性上的电压陡降。

　　稳态短路电流由IGBT管的输出特性所决定。

　　对于IGBT管来说，典型值最高可达到额定电流的8～10倍。

　　b．短路Ⅱ。在短路Ⅱ情形下，IGBT管在短路发生前已经处于导通状态。和短路Ⅰ的情形相比较，IGBT管所受的冲击更大。一旦短路发生，集电极电流迅速上升，其上升速度由直流电压UDC和短路回路中的电感所决定。在时间段1内，IGBT管脱离饱和区。

　　集电极一发射极电压的快速变化将通过栅极一集电极电容产生一个位移电流，该位移电流又引起栅极一发射极电压升高，其结果是出现一个动态的短路峰值电流IC/SCM。在IGBT管完全脱离饱和区后，短路电流趋于其稳态值（时间段2）。在此期间，回路的寄生电感将感应出一个电压，其表现为IGBT管过电压。

　　在短路电流稳定后（时间段3），短路电流被关断。

　　此时换流回路中的电感LK将在IGBT管上再次感应一个过电压（时间段4）。IGBT管在短路过程中所感应的过电压可能会是其正常运行时的数倍。为了保证IGBT管安全运行，必须满足下列重要的临界条件：

　　④短路现象必须被检测出，并在不超过10μs的时间内关闭IGBT管。

　　⑤两次短路的时间间隔最少为1s。

　　c 在IGBT管的总运行时间内，其短路次数不得大于1000次。

　　短路Ⅰ和短路Ⅱ均将在IGBT管中引起损耗，从而使结温上升。在这里，集电极一发射极电压的正温度系数有一个优点（对漏—源电压也同样适用），即它使得稳态短路期间的集电极电流得以降低。　　

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