您当前的位置:五五电子网电子知识元器件介绍器件命名及常用参数 列表
器件命名及常用参数
更新时间: 03-04

SP

代 表 公 司 PLESSEY 英国普利西半导体公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介 [详细]

阅览量:339 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

PS

代 表 公 司武汉力源公司元件种类或用途显示驱动电路 典 型 型 号PS7219 说 明  [详细]

阅览量:381 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

ON

代 表 公 司 飞利浦公司 元件种类或用途晶体管 典 型 型 号 公 司 简 介 [详细]

阅览量:459 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

日本东芝公司(Toshiba Corp)型号命名

TA:双极型线性电路; TC:CMOS电路; TD:双极型数字电路; TM:MOS电路。 [详细]

阅览量:988 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

芯片封装形式介绍

DIP封装具有以下特点:1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。2.芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大。Inte... [详细]

阅览量:328 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

DO-15

封装代码 封装描述 资料 DO-15 2-PIN PlastIC DO-204AC/DO-152-Pin Plastic Axial Lead/DO-15 (下载) [详细]

阅览量:538 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

NSC元器件封装详解

阅览量:312 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

常用无源晶振封装尺寸及实物图

2、HC-33/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7 3、HC-49/U 1 - 150 MHz 11.2 x 4.7 x 13.6 4、HC-49/U-S 3.2 - 70 MHz 11.2 x 4... [详细]

阅览量:297 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

TF

代 表 公 司 德国西门子公司 元件种类或用途晶体管 典 型 型 号 公 司 简 介 [详细]

阅览量:421 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

S-812C型号后缀命名

阅览量:648 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

TW

代 表 公 司 美国麻省斯普拉格电气有限公司 元件种类或用途晶体管 典 型 型 号 公 司 简 介 [详细]

阅览量:537 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

Cylindrical Package

封装代码 封装描述 资料 CylindrICal PACkage 3-PIN Plastic Cylindrical Package (下载) [详细]

阅览量:571 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

LFPAK

封装代码 封装描述 资料 LFPAK 4-PIN PlastIC LFPAK (下载) [详细]

阅览量:719 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

IGBT管的关断

 鉴于尾流与少子的重组有关,尾流的电流值应与芯片的温度、IC和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此,根据所达到的温度... [详细]

阅览量:608 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

用于自感实验的发光二极管

阅览量:900 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

TMT

代 表 公 司 美国麻省晶体管有限公司 元件种类或用途晶体管 典 型 型 号 公 司 简 介 [详细]

阅览量:175 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

分压式和负反馈式偏置电路分析方法和思路培养

 电阻R1和R2构成直流工作电压+V的分压电路,分压电压加到VT1基极,建立VT1基极直流偏置电压。电路中VT1发射极通过电阻R4接地,... [详细]

阅览量:377 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

DO-201

封装代码 封装描述 资料 DO-201 2-PIN Axial Lead/DO-201 2-Pin PlastIC Axial Lead/DO-201(下载) [详细]

阅览量:140 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

IGBT管的保护

 --流过IGBT集电极-发射极的电流; --IGBT的结温。 如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常... [详细]

阅览量:602 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

L-LQFP-G

封装代码 封装描述 资料 L-LQFP-G 32-PIN PlastIC LQFP (下载) L-LQFP-G 40-Pin Plastic LQFP (下载) L-LQFP-G ... [详细]

阅览量:674 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

SOF

SOF(small Out-Line PACkage)小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。另... [详细]

阅览量:345 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

MOSFET管开关特性

 对于MOSFET管而言,由于其导通电阻很小,因此其工作状态可近似等效于开关状态,其导通就相当于开关闭合,截止就相当于开关断开... [详细]

阅览量:871 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

SMD变容二极管

 SMD变容二极管是利用二极管PN结的电容值随外加反向电压变化而变化的原理制成的一种超小型片状二极管,以用来取代可变电容器。 ... [详细]

阅览量:304 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

TK

代 表 公 司 德国楞茨标准电气公司 元件种类或用途晶体管 典 型 型 号 公 司 简 介 [详细]

阅览量:833 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

IGBT管门极的开通和关断延迟

 开通死区时间计算 关断死区时间计算 门极电阻对延迟的影响 门极电阻对延迟的影响 死区时间的解释 1.例如: 检... [详细]

阅览量:768 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

LED发光二极管焊接条件

1)电烙铁焊接:电烙铁(最高30W)尖端温度不超过300°C;焊接时间不超过3秒;焊接位置至少离胶体2mm;焊接时左手用镊子固定住... [详细]

阅览量:912 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

LDPAK

封装代码 封装描述 资料 LDPAK 3-PIN PlastIC LDPAK (下载) [详细]

阅览量:216 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

SMT

SMT 是英文Surface mount technology 的缩写,即表面安装技术这是一种较传统的安装方式其优点是可靠性高缺点是体积大成本高限制... [详细]

阅览量:906 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

AP

代 表 公 司Advanced Power Technology (APT)富鼎先进电子股份有限公司 元件种类或用途晶体管 场效应管 典 型 型 号A... [详细]

阅览量:461 分类:器件命名及常用参数 评级:  

更新时间: 03-04

TVS的工作原理

概述:瞬态抑制二极管简称TVS (Transient Voltage Suppressor ),TVS的电气特性由P-N结面积,参杂浓度及晶片阻质决定的。其耐突波... [详细]

阅览量:352 分类:器件命名及常用参数 评级:  

总数:26130 上一页1 ...3 4 5 6 7 ...下一页