对于MOSFET管而言，由于其导通电阻很小，因此其工作状态可近似等效于开关状态，其导通就相当于开关闭合，截止就相当于开关断开。对于常见的NMOS管，只要VGS电压达到4V或10V就会导通，非常适合于S极接地的驱动电路（低端驱动）；对于PMOS管，只要VGS低于一定的值就会导通，适用于S极接VCC时的电路（高端驱动）。虽然PMOS管可以很方便地用作高端驱动，但由于其导通电阻大、价格高、替换种类少等原因，所以在很多高端驱动中还是使用NMOS管。下面以NMOS管为例说明其开关特性。
提示：上述4V或10V是常用NMOS管的导通电压。在12V供电系统中，一般为4V；在高于12V的供电系统中，一般为10V。
1．静态特性
当VGS＜开启电压VT时，MOs管工作在截止区，MOs管处于“断开”状态，IDS约为0，输出电压UDS约等于VCC，如下图所示。当VGS>开启电压VT时，MOs管工作在导通区，漏源电流IDS=VCC/（RD＋rDS）。其中，rDS为MOs管导通时的漏源电阻。输出电压UDS=VCCxrDS/（RD＋rDS），如果。S远小于RD，则UDS接近0V，相当于MOs管处于“接通”状态。
2．动态特性
MOs管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很短的。
当输入电压Ui由高变低，MOs管由导通状态转换为截止状态时，电源VCC通过RD向杂散电容CL充电，如上图所示，充电时间常数π1=RDCL，即输出电压Uo要经过一定延时才由低电平变为高电平，如下图所示。当输入电压u1由低变高，MOs管由截止状态转换为导通状态时，杂散电容CL上的电荷通过rDS进行放电，其放电时间常数T2 ≈ rDSCL，即输出电压U。也要经过一定延时才能转变成低电平。由于rDS比RD小得多，所以由截止到导通的转换时间比由导通到截止的转换时间要短。
从图可以看出，MOs管在导通和截止的时候，不是在瞬间完成的，在从截止变为导通时，其两端电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程；在从导通变为截止时，其两端电压有一个上升的过程，流过的电流有一个下降的过程。在这个过程中，其电压与电流的乘积称作MOs管的开关损失。开关频率越高，损失也越大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
提示：用于高端驱动的NMOS管在导通时需栅极电压大于源极电压。在常见的电路中，由于NMOS管导通后，源极电压约等于漏极上所加的供电电压VCC，即这时栅极电压要比VCC高4V或10V，这就需要设计专门的升压电路。因此，很多功率MOSFET管驱动集成块中都内置有电荷泵，并外接合适的电容，以得到符合要求的VGS电压。
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