IGBT管的技术特点

CTO（门极关断晶闸管）和GTR(电力晶体管)是电流驱动器件，具有很强的通流能力，而它们的开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。电力MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管1是单极型电压驱动器件，它的开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小，驱动电路简单，因此这两种器件各有其优缺点。
　　
　　绝缘栅双极型晶体管IGBT是综合GTR与MOSFET的优点．以达林顿结构组成的一种新型电力电子器件，其主体部分与晶体管相同，有集电极C和发射极E．具有通流电流大、驱动功率小、驱动电路简单、开关速度快等良好的特性。
　　
　　自从上世纪80年代开始投入市场，应用领域迅速扩展，目前已经取代GTR和CTO的市场，成为大、中功率电力电子设备的主导器件，该器件的工作电压和电流容量也在逐渐提高。

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