“ Numonyx 在业界首家推出65nm制程的 NOR 存储器 和45nm的NOR存储器样片。目前已向客户开始提供基于4 0nm制程的 NAND 存储器样片，希望能够在2010年中期，推出基于32nm制程的NAND存储器。”
百年一遇的金融危机给存储类厂商的冲击是沉重的，而 Numonyx（恒亿）公司副总裁兼首席技术官Edward Doller最近的一次主题演讲中解读了存储产业的不断演进和目前所面临的挑战，以及当前公司如何保持持续领先的应对策略，并分享了Numonyx在闪存领域的最新技术突破，让我们看到了身处严寒考验的存储市场中的佼佼者如何从众多老牌竞争对手中脱颖而出 。
传承优势 创新领航
Numonyx是由英特尔（Intel）和意法半导体（ST）的闪存业务部门组成的一家合资公司，在成立还不到一年的时间里，Numonyx汲取了母公司英特尔和意法半导体的技术优势，在技术研发上不断取得新的突破。Edward Doller表示，最近Numonyx率先为业界带来了下一代存储技术——相变存储器( PCM )，并在今年2月推出了业内首款采用45nm工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片等产品。Numonyx目前已是全球第三大闪存供应商和最大的无线通信MCP（多芯片封装）供应商，2008年第4季度Numonyx在NOR市场份额达到了4.7%。
Edward Dol ler说，在存储器市场，Numonyx主要的的应用市场是无线通信与嵌入式设计二大领域、可提供从硅技术研发、先进的堆叠封装、客户服务、集成与软件和到最后的产品成本质量控制与可靠性以及方案的实施等一站式完整的解决方案。在无线通信应用市场，Numonyx有很强的竞争优势，这个市场的份额能占到45%~ 50%。“对于嵌入式市场，2008年的第4季度，我们的市场份额上升了差不多4个~5个百分点，占到了约20%的市场份额。在整个存储器市场上，我们去年的市场份额的提高，大部分都是在嵌入式市场上获得的，” Doller说。
Edward Doller强调，在当前整个闪存市场整体下降的情况下，Numonyx还取得如此业绩，制胜法宝就是公司一系列行之有效的策略，源于公司坚实的财务基础、充沛的现金流、倾力推出新产品、参与产业合作。例如，参与JEDEC、ONFI、IEEE、ISSCC等标准的起草与制定，加快技术升级和创新、提高产品效能以及为客户创造更多价值（系统级技术和存储器优化），从而保证公司在高起点上保持领先的地位。
Edward Doller描述了Numonyx的技术蓝图：在NOR产品方面，Numonyx在业界是第一家推出65nm制程的NOR存储器和45nm的NOR存储器样片；目前已向客户开始提供基于40nm制程的NAND存储器样片，希望能够在2010年中期，推出基于32nm制程的NAND存储器；在PCM内存方面，90nmPCM在2008年年底已经开始量产了，预计在2010年年中推出45nm的PCM内存。
下一代存储技术—— 相变存储器(PCM)
创新是Numonyx公司持续发展的源泉。Edward Doller指出，相变存储器(PCM)是一个极具发展前景的新型存储技术，特点一是数据读写速度非常快，不需要进行擦除。因此从长远来看，它的成本是很低的；特点二是非易失性的，和RAM有所不同，每瓦密度高，功耗低于传统的闪存技术，而且支持通常只有随机存取存储器(RAM)才具备的以数据为单位的修改功能，所以是一种绿色的RAM；特点三是和NAND相比，它寿命更长，耐重复擦写次数很高，所以可以给客户提供更高的可靠性。特点四是跟NOR、NAND相比，PCM的可扩展能力、升级能力更强， 而且位数可以改变、更加耐用。当NOR和NAND遇到扩展方面的瓶颈时，无法继续进行扩展的时候，PCM能超越这样一个瓶颈，继续向上进行扩展。
业内专家预测，当目前现有的传统存储芯片所能带来的利润越来越少的时候， PCM应用的热潮将在今后的几年中出现， 这种技术可以更有效地降低成本，降低功耗，并提升存储容量。它的出现不仅在智能电话、MID、iPod等消费电子得到广泛应用，更能适用于对存储性能要求苛刻的服务器等应用。
重大设计突破 首推45nmNOR闪存芯片
今年2月，Numonyx推出业内首款采用45nm工艺技术的第7代多级单元（MLC）NOR闪存样片。EdwardDoller表示，这款45nm的1Gb单片闪存基于Numonyx StrataFlash存储器架构，引脚兼容Numonyx目前量产的65nm NOR闪存芯片。产品架构的兼容性和连续性使手机原始设备制造商能够降低开发成本，延长现有产品平台的生命周期，利用大容量存储和速度更快的存储器“立即执行”功能，加快向市场推出新产品的速度。与上一代产品（65nmNOR）相比，新技术将数据写入速度提高了50%，达到1.5Mb/s。
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在如何设计新一代 NOR 闪存技术方面， Numonyx 在设计上有了重大突破，这就是在新产品中采用一个新的自对准接触(SAC)方法，在保持与过去产品兼容以及高度可靠性和产品质量的同时，这种方法还使Numonyx闪存产品得以不断升级。业内专家认为，当整个行业还在设法解决闪存技术的升级能力的时候，Numonyx推出的45nm的1Gb单片闪存产品无论从架构还是连续性上都达到甚至超过了客户对成本和可靠性的要求，这确实是一项重大的设计上的突破。
据了解，Numonyx不仅在NOR保持着业界中的领先优势， 而且还把这种技术优势延伸到 NAND 产品，去年，Numonyx面向无线通信和嵌入式领域扩大了NAND产品阵营，推出了采用先进的40nm制造工艺的NAND闪存，新系列产品包括32Gb的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB的eMMC存储芯片和高达8GB的 mICroSD产品。
Edward Dol ler表示，公司正在一定的密度和数量范围内检测新产品样片，计划今年推出采用这项新技术的产品。预计2010年开始量产。Numonyx还计划将此项技术部署到所有的嵌入式闪存解决方案中，把连续性架构的性能优点以及稳定性和可靠性扩展到主要嵌入式市场。
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