它在单级反馈的最小噪声图为，相关增益为巧。这种放大器输出端进行了内部匹配。输入端对最小噪声进行了优化匹配。输入端降低可通过附加的匹配电路来实现一般为一个串联的电感，当工作在旁路模式，输入、输出均为内部匹配。这枚芯片集成地解决了可调工的需求，可按接收机的线性要求固定在所需的电流水平。具有旁路开关功能，可以把电流设置到零并功率比要求。当需发射较低功率时，可以把它旁路来节省电流消耗。因为许多系统工作在模式，工作在旁路模式，由于旁路状态漏极电流为，而状态漏极电流为，这就使一的平均工作电流为。它是一种砷化嫁工，用低成本的工艺，封装形式为;其性能指标如图所示。
此芯片由输入后随接一个混频器，下变频器的输出采用差分形式提供共模抵消。一通过直流电图高集成下变频器芯片压一进行电流控制来适应不同的线性要求。如果采用动态形式，电流控制可以减小总体的电流消耗来延长电池寿命。另外，通过在连接的两引脚上加一个电感，可以提高输入线性度。这个采用高频、低噪的硅双极处理技术为，封装在小型的一封装内。上变频器一的结构形式如图所示，它的内部集成了高线性度的上变频混频器、可变增益推动放大器和本振缓冲放大器，它差分的中频输二兀，可以实图上变频器芯片现的增益从一到的增益控制，可以用来直接推动功率放大器模块。它也采用采用高频、低噪的硅双极处理技术为，封装在小型的一封装内。下、上变频器图所示下变频器;终端应用的高集成的芯片，这种集成的解决方案可以降低成本并具有很好的可靠性，它具有很高的工为，可以满足一高动态范围接收器的强烈要求，同时具有很好的噪声特性和伪信一调制器变增益中频放大器图描述的是一种高集成的一;调制器，它集成了四相移调制器，变增益中频放大器和一单元用长产生本振并作勺的缓冲放大器。中频具有高输七功率、低噪声、优化内线性度，技术细则的更求，同时耗电较低芝增益放大器在。
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