可控硅元件在变频电路中的应用

　对于非谐振型的变频器，使用软开关变换电路，它是控制电压和电流在开始上升时，使其缓慢变化的一种方法。

　　作为开关变换元件，一般使用双极型三极管，但是最近，在中小功率的范围内，大量使用了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）及功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。在大功率范围内，使用了闸门关断可控硅（GTO）元件。

　　IGBT是电压控制元件，比电流控制的双极型晶体管输入控制回路简单，是耐压高、导通电压低、开关变换速度快的元件。由于控制回路简单，能够产生出将功率元件、驱动回路、保护回路都封装一起的智能功率模块IPM。

　　GTO元件是能够关断、开启的可控硅元件，它应用在大功率的PWM变换电路中。目前，已开发出的有额定参数为4.5kV/4kA的元件。由于GTO元件的开关变换频率约在几百赫兹左右，存在的问题是在低频时的电压、电流波形干扰大。目前，正在进一步开发的是以低损耗为目标的新式双栅极MOS栅极可控硅（DUGMOT）元件。

本文关键字：可控硅  变频器基础，变频技术 - 变频器基础