变频器的主电路

    (1)变频器主电路中的开关器件

    目前低压小容量变频器普遍采用的功率开关器件是功率MOSFET、IGBT（绝缘栅双极晶体管）和IPM（智能功率模块），中压大容量变频器采用的功率开关器件有GTO（门极可关断晶闸管）、IGCT（集成门极换流晶闸管）、SGCT（对称门极换流晶闸管）、IEGT（注入增强栅晶体管）和高压IGBT。新型开关器件的应用使开关频率不断提高，开关损耗进一步降低。变频器主电路中开关器件的发展方向是自关断化、模块化、集成化和智能化，开关频率不断提高，开关损耗进一步降低。

    (2)变频器主电路的拓扑结构

    目前变频器主电路的拓扑结构为，变频器的网侧变流器对低压小容量的常采用6脉冲变流器，而对中压大容量的采用多重化12脉冲以上的变流器。负载侧变流器对低压小容量的常采用两电平的桥式逆变器，而对中压大容量的采用多电平逆变器。对于四象限运行的传动系统，为实现变频器再生能量向电网回馈而节约能量，网侧变流器应为可逆变流器。而对于功率可双向流动的双PWM变频器，对网侧变流器加以适当控制可使输入电流接近正弦波，并使系统的功率因数接近于1，减小对电网的公害。

    公用直流母线技术的采用，使由多台电动机（或多轴）构成的传动系统的能量得以更好地利用，提高系统的整体运行效率，并可降低变频器本身的价格。公用直流母线也可以有再生型和非再生型。探索采用谐振直流环技术使变频器的功率开关工作在软开关状态下，器件损耗大大下降，开关频率可进一步提高，因电压和电流尖峰引起的EMI问题也得到有效抑制，可取消缓冲电路。

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