2)用数字万用表或数字电容测量仪的20n挡，测量栅．射结的电容量，是一个较好的测量方法。一般IGBT器件的栅．射结电容的电容量在20nF以下，小功率IGBT管电容小，大功率IGBT模块的电容量大一些。另外，大功率IGBT模块当红表笔接栅极时（称为正测）所测电容量较小；当黑表笔接栅极时（称为反测），所测电容量较大。如果测得的电容量远远大于20nF或测不出电容量(小于1nF)，则说明IGBT的栅，射结已经损坏。
下面为双管模块CM200Y-24NF、SKM75GB128DE、一体化模块FP25R12KE3，用MF47型指针式万用表，×10K挡测量IGBT动态特性所得出的电阻值数据，和用数字表的20n挡测量栅一射结的电容量所得出的电容量值的数据。
1) CM200Y-24NF模块：主端子C1、C2、E1、E2，触发端子C1、E1、C2、E2；触发后为C、E电阻为250kΩ;周电容表200nF挡测量触发端子电容量为36.7nF，反测（黑笔搭G端子，红笔搭E端子）为50nF。
2) SKM75GB128DE模块：主端子同上，触发后C、E电阻为250kΩ;触发端子电容正测
4.lnF，反测12.3nF。
3) FP24R12KE3集成模块，也可采用此法，触发后为C、E电阻为200kΩ左右；触发端子电容正测6.9nF，反测10.1nF。
脱机测量得出的结果，能大致（相对）判断IGBT的好坏，但不是IGBT好坏的最后（绝对）结果。对IGBT由绝缘缺陷造成的漏电等损坏原因，需要为对IGBT施加一定的供电电压（如为主电路上电）试验才能最后确定IGBT的好坏。
2．在线测量
如上文所述（见图3—1），从变频器的主电路接线端子，对逆变功率电路的（功率模块内部）6只IGBT进行测量，仅能测量出并联于器件集电极和发射极上的二极管的正、反向电阻值（或正向导通压降），证实IBGT的集电极和发射极之间，没有短路故障。更进一步的测量，应该从IGBT的信号输入端——栅．射结着手进行。
打开机器外壳，将MCU主板和电源／驱动板，两块线路板取出，记住排线、插座的位置，插头上无标记的，应用口取纸、油性记号笔筹打上标记。取下两块线路板，剩下的就是如图3-1所示的主电路了。直接测量逆变模块的G1、E1和G2、E2之间的触发端子电阻，都应为无穷大。如果驱动电路与IGBT还在连接状态下，则G1、E1触发端子之间往往并接有10kΩ电阻（大功率机型3kΩ左右），则正、反电阻值均应为10kΩ。有了正、反电阻值的偏差，在排除掉驱动电路的原因后，则证明逆变模块已经损坏。
上一篇：变频器主电路的IGBT器件的类型
