1．IGBT的单管（单模块）的脱机测量方法
(1)指针式万用表的测量方法。这个方法常用于IGBT单管、大功率IGBT单、双模块和新购进一体化模块的测量。
1)栅极、发射极和集电极三者之间的正、反向电阻值。用指针式万用表的×1K挡进行测量，只有当黑表笔接发射极，红表笔接集电极时，测得电阻值为5kQ，这一电阻值为器件内部并联在集电极和发射极上的二极管的正向电阻值。其他测量结果，栅极一发射极、栅极．集电极、集电极一发射极之间的电阻值均为无穷大。如果测出三个电极间有一定的电阻值（如数千欧姆），则说明器件已经损坏。
2) IGBT的动态性能测量。进一步测量IGBT在驱动电压作用下，能否工作于导通和截止两种受控状态。
可采用测量(MOSFET)场效应晶体管的方法来测试。MOSFET的栅一阴极间有一个结电容的存在，故由此决定了极高的输入阻抗和电荷保持功能。对于IGBT，存在一个Cg。结电容。利用其G、E之间的结电容的充电、放电和电荷保持特性，可以有效检测IGBT的好坏。
方法是：将指针式万用表打到×10K挡，黑表笔接C极，红表笔接E极，此时所测电阻值近乎无穷大；搭好表笔不动，用手指将C极与G极碰一下并拿开，指示由无穷大阻值变为200kΩ左右：过一二十秒钟后，再测一下C、E间电阻（仍是黑表笔接C极，红表笔接E极），仍能保护200kΩ左右的电阻值不变；搭好表笔不动，用手指短接一下G、E极，C、E极之间的电阻又重新变为接近无穷大。
实际上，用手指碰一下C、G极，是经人体电阻给栅．射结电容充电，拿开手指后，因电容无放电回路，故电容上的电荷能保持一段时间。此电容上的充电电压，为正向激励电压，使IGBT管子出现微导通，C、E之间的电阻减小；第二次用手指短接G、E时，提供了栅-射结电容的放电通路，随着电荷的泄放，IGBT的激励电压消失，管子变为截止，C、E之间的电阻值又趋于无穷大。
手指相当于一只阻值为数千欧姆级的电阻，提供栅．射极结电容充、放电的通路；因IGBT管子的导通需较高的正向激励电压（10V以上），所以应该使用指针式万用表的×10k挡来测量。此挡位内部电池供电为9V或12V，以满足IGBT管子激励电压的幅度。指针式万用表的电阻挡，黑表笔接内部电池的正极，红表笔接内部电池的负极，因而黑表笔为正，红表笔为负。这种测量方法只能采用指针式万用表。
对触发端子的测量，还可以配合电容表测其容量，以增加判断的准确度。往往功率容量大的模块，G、E两端子间的电容值也稍大。
(2)用数字万用表的测量方法。
1)用20k挡测量，除了黑表笔接集电极，红表笔接发射极时测量的正向电阻约为17kΩ左右，其他测量结果电阻值都为无穷大；用二极管挡测量，除了黑表笔接C极，红表笔接E极时测量的正向电压值约为0.4V外，其他测量结果均为电压降无穷大。
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