IGBT的输入级电路为MOSFET器件，是电压（电场能）控制器件，在IGBT的栅极和发射极之间，存在一个等效电容Cge若IGBT处于（一定频率下）高速开通和关断的工作状态中，可以认为，正向驱动电压是提供结电容Cge的充电电流，负载截止电压是将Cge的电荷快速中和掉。栅极和发射极之间并联的10kΩ电阻，提供Cge内部电荷的泄放通路，起到使其截止的作用。Cge结电容的存在，在进行驱动电路的原理和故障分析时是关键所在。
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