BSD技术特性与应用（3）

BSD的制作技术

图3是BSD的基本结构，如图所示BSD电子源呈夹心状(sandwich)。图4是BSD的制作流程，由图可知下方电极pattern通常是利用溅镀法制作，基于量产性的考量因此BSD改用liftoff方式制作，接着在上方制作柱状polysilicon，虽然polysilicon可在amorphous膜层长膜，再利用雷射作退火处理进行再结晶化，不过如此一来polysilicon膜层厚度较厚，因此BSD採用减压CVD技术制作最佳化柱状polysilicon。一般CVD技术需在650°C左右高温下，利用石英玻璃才能获得polysilicon，基于成本与量产性的考量改用电浆(plasma)CVD技术，使长膜温度降至550°C以下，使用的玻璃则与TFT、PDP常用的玻璃相同。有关BSD的电子释放部的阳极氧化制程，主要是利用松下电工开发的阳极氧化‧低温氧化一贯作业的湿制程(wetprocess)专用设备(图5)，该设备具有低制作成本、可大型化、高良品率等特徵。


图3BSD的结构

图4BSD的制作流程

图5阳极氧化‧CEO专用设备的外观

接着在玻璃基板上制作金属电极，并将金属电极上方的柱状polysilicon膜层浸泡于氟酸与乙醇混合液内，同时施加电压至混合液内的白金负极，与polysilicon膜层的正极，进行类似电界研磨加工。由于silicon在某些条件下无法进行研磨，反而会产生silicon的奈米结晶，这种特殊现象主要是因为柱状polysilicon的grainboundary的结合能量很低，使得该部份发生反应析并出silicon，在此同时被析出的silicon会进行再结晶化，最后形成如图1所示的奈米结构，这种被称为自我组织的独特现象发生与否，完全取决于制程条件的设定。

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