在柱状polysilicongrain之间形成奈米结晶polysilicon之后，去除洗净氟酸与乙醇，再注入以硫酸为base的电解液，并对白金负极与基板正极施加电压，藉此在奈米结晶polysilicon的表面形成很薄的氧化膜，这种称为电气化学的氧化法(ECO:ElectroChemicalOxidation)可以使大size的silicon结晶更容易氧化，最先开始氧化部位是polysilicongrain部份，接着是奈米结晶部位被氧化，最后是size比较均匀的奈米结晶部位，此时polysilicon部位会被很厚的氧化膜包覆，由于表面的polysilicon膜层也被很厚的氧化膜包覆，所以可以防止polysilicon膜层与表面电极的发生breakdown现象。
利用ECO制程形成氧化膜后立即进行清洗、干燥、溅镀，接着进行表面电极与电极patterning，便完成所有BSD电子源的作业流程。
在所有制程当中祇有polysilicon长膜时需要550°C高温之外，其它制程包含奈米结晶硅长膜与氧化膜的制作，都是在常温环境下进行，因此材料的高温履歷非常少，更无基板升、降温时间，所以可大幅缩减制作时间与制作成本，也就是说上述制程非常适合大尺寸面板的制作。
BSD电子源的特性图6是典型的BSD电子源的电压‧电流特性图，图中的横轴为电压，纵轴为电流密度，JPS是二极体(diode)的电流密度，JPS表示从二极体表面金属膜层释放至真空中的电子emission电流密度，一般emission电流祇能在VPS为正方向时才能观测到。由图可知随着电压增加，二极体的顺向电流与释放电流亦增大，当顺向电压为28V时emission电流密度约为8.9mA/cm²，emission效率约为1.2%左右。
图6BSD电子源的V-I特性
图7是BSD电子源的emission电流时间变化特性图，横轴为时间，纵轴为电流密度，二极体电压为16V，如图所示二极体电流IPS与释放电流Ie，不会随着电流发生spike，亦即所谓的闪烁(flicker)现象，显示BSD电子源不需外部电路，就可获得传统Spendtype电子源无法达成的特性。
图7二极体电流与释放电流的V时间变化特性
图8是BSD电子源的周围真空度发生变化时的emission电流变化特性，具体测试方法是将炉内更换成氮素，接着抽真空至10-4Pa再逐渐导入氮素，藉此观察真空度变化时的emission电流变化，图中的横轴为真空度，纵轴为二极体(diode)的电流密度，由图可知即使真空度降至10-4，emission的电流密度几乎无任何改变，显示BSD电子源在真空度非常恶劣的环境下，仍具备良好的emission特性。
图8BSD电子源的释放电流与真空度依存性
图9是二极体电压Vps对电子能量及释放电子数量关系图，由图可知电子能量随着Vps变大而增加，例如Vps为16V时可获得6eV值，如此高的电子能量相当于CRT或传统(convention)FED的100倍左右。目前BSD之FED的电子释放效率约为1%，电流释放密度最大是1mA/cm2，因此已经足够撞击正面基板表面上的萤光体，并获得极高的发光效果。此外BSD之FED祇需20V左右的动作电压，如果换算成42吋的FED时，它的电力消耗量约为100W左幼，是同级电浆显示器(PDP:PlasmaDisplayPanel)的1/3左右。
图9diode电压与电子能量与电子释放数量之关系
BSD非常适用于高电压SpendtypeFED。由于BSD具有垂直弹道电子释放特性，因此不需要收歛电极来控制电子束的发射角度，这对降低FED的制作成本具有重大的影响，除此之外BSD技术赋与spacer更宽广的选择裕度。以往的FED都是利用spacer使cellgap能维持一定的间隙，因此选用spacer时除了粒径均匀性与稳定性的考量之外，spacer还需要具备不会干涉电子束飞行轨道重要特质，然而不论基板材质为陶瓷(ceramic)或是玻璃(glass)，spacer都会因施加电压而带负电，进而直接、间接影响电子束的飞行轨道，造成萤光体撞击点偏移、影像画质劣化等不良现象。
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