IGBT 的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时， MOSFET 内形成沟道，并为 PNP 晶体管提供基极电流，从而使 IGBT 导通， ，从 P+ 区注到 N 一区进行电导调制，减少 N 一 区的电阻 Rdr 值，使高耐压的 IGBT 也 具有低的通态压降。在栅极上加负电压时， MOSFET 内的沟道消失， PNP 晶体管的基极电流被切断， IGBT 即关断。
正是 IGBT 是在 N 沟道 MOSFET 的 N+ 基板上加一层 P+ 基板，形成了四层结构，由 PNP － NPN 晶体管构成 IGBT 。 ， NPN 晶体管和发射极 铝电极短路，设计时尽 使 NPN 不起作用。所 以说， IGBT 的基本工作与 NPN 晶体管无关， 认为是将 N 沟道 MOSFET 输入极， PNP 晶体管 输出极的单向达林顿管。
采取 的结构可在 N 一层作电导率调制，提高电流密度。这是因 为从 P+ 基板 N+ 层向高电阻的 N-- 层注入少量载流子的结果。 IGBT 的设计是通过 PNP － NPN 晶体管的连接形成晶闸管。
N 沟道 IGBT 的图形符号有两种，如图 2 － 56 。 。 应用时，常使用图 2 － 5 6b 的符号。
P 沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图 2 － 57 。
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