IGBT管的结构

　　IGBT管在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT管是在N沟道功率MOSFET的N+基板（漏极）上增加了一个P+基板(IGBT管的集电极)形成PN结Jl，并由此引出漏极、栅极和源极则完全与MOSFET相似。

　　IGBT管的结构如图所示。正是由于IGBT管是在N沟道MOSFET的N+基板上加了一层P+基板，形成了四层结构，由PNP-NPN型晶体管构成IGBT管。

　　但是，NPN型晶体管和发射极之间由于铝电极而短路，设计时尽可能使NPN型晶体管不起作用。所以说，IGBT管的基本工作与NPN型晶体管无关，可以认为是将N沟道MOSFET作为输入极，PNP型晶体管作为输出极的单向达林顿管。

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