在控制系统中，经常用单片机的I/O口驱动其他电路。几种常用单片机I/O口驱动能力在相关的资料中的说法是：GMS97C2051、AT89C2051的Pl、P3口线分别具有lOmA、20mA，的驱动能力，AT89C51的PO、Pl、P2、P3口线具有10mA的驱动能力。在实际应用中，仅有这些资料是远远不够的。笔者通过实验测出了上：述几种单片机的I/O口线的伏安特性（图l、图2），从中可以得到这些I/O口的实际驱动能力。
说明：1、测试方法：所测试的口线输出的信号是．周期为4秒的方波。当测试口线为低电平时的驱动能力时，该口线通过电阻箱接+5V电源，测出该口线对地的电压，从而计算出通过电阻的电流，即灌电流；测出这样的一组数据，得到口线为低电平时的伏安特性曲线。当测试口线为高电平时的驱动能力时，该口线通过电阻接地，测出该口线对地的电压，从而计算出通过电阻的电流，即拉电流；测出这样的…组数据，得到口线为高电平时的伏安特性曲线。2、AT89C2051，GMS97C2051的Pl.0和Pl.l及AT89C51的PO口8条口线为漏极开路，其输出伏安特性取决于外接的上拉电阻，本实验不包括这些口线。实验发现，GMS97C2051的P1口为高电平时能够驱动CMOS和LSTTL，但驱动能力较差，其输出伏安特性曲线未标在图2中。3、图中绘出LSTTL电平的上下限值VOL(MAX)=0.5V和VOH(MIN)=2.7V，据此可求出口线的最大扇出N。
AT89C51:PO、P1、P2、P3口线为低电平时，NL≤38，P1、P2、P3口线为高电平时，NH≤10，取N=100AT89C2051：P1、P3口线为低电平时，NL≤91，P1、P3口线为高电平时，NH≤9，取N=9。
GMS97C2051:P1、P3口线为低电平时，NL≤51，P3口线为高电平时，NH≤17，取N=17。
根据图1、图2及上述说明，可以得出如下结论：①这几种芯片的I/O口线的低电平的驱动能力明显高于高电平的驱动能力；②GMS97C2051的P3口作I/O口的驱动能力为：N=17，P1口高电平的驱动能力相对较差，最好不用Pl口高电平作驱动；③AT89C2051的Pl、P3口做I/O口的驱动能力为：N=9；④AT89C51的P1、P2、P3口做I/O口的驱动能力为：N=10。
根据以上结论，建议用I/O口线的低电平来作驱动输出；．典型的驱动电路如图3。
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