这种电流检测技术在实际的工程应用中较为普遍。它的设计思想是:如下图在功率MOSFET两端并联一个电流检测FET,检测FET的有效宽度W明显比功率MOSFET要小很多。功率MOSFET的有效宽度W应是检测FET的100倍以上(假设两者的有效长度相等,下同),以此来保证检测FET所带来的额外功率损耗尽可能的小。节点S和M的电流应该相等,以此来避免由于FET沟道长度效应所引起的电流镜像不准确。
在节点S和M电位相等的情况下,流过检测FET的电流IS为功率MOSFET电流IM的1/N(N为功率FET和检测FET的宽度之比),IS的值即可反映IM的大小。
