的直线。
（2）当 
时 ， 
，得一条
的直线。
（3）当
时， 
。
由于当 
或 
时，相应可近似得 
和 
，故在 
和 
之间，可用一条斜率为 
/十倍频程的直线来表示，于是可画得相频响应如图2所示。
放大电路的低频响应，可用如图1所示的RC高通电路来模拟。
图1
频率响应
（1）
令
（2）
（3）
由式（3）可得
幅频响应为
（4）
幅频响应为 
（5）
采用与低通电路同样的折线似方法，可画出高通电路的幅频和相频响应曲线如图2所示
1、BJT高频小信号模型的提出：
根据BJT的特性方程，H参数低频小信号模型不适用于高频特性分析，这是因为在高频运用的情况下，其物理过程与低频小信号比较有差异,主要表现在BJT的极间电容不可可略。
2、BJT的高频小信号模型：BJT的高频小信号模型如图所示。
图中
rbb¢ ：rbb¢表示基区体电阻。
rb¢e：发射结的小信号电阻。
Cb¢e：发射结电容
rbc¢ ：集电结反偏电阻
Cbc¢ ：集电结电容
受控电流源 ，它受 
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