MOSFET管组成独立输出级与双极型输出管相比，不仅温度稳定性更高，高频响应更好，且有更佳的线性。但由分立件组成前级电路仍嫌烦琐，调整也麻烦。如果采用集成化前级驱动，则可实现基本无调整。选用温漂极小的IC，同时加入负反馈稳定中点电压，极易成功。
附图为国外刊物发表的由集成化功率放大器LM675T组成的电路。LM675T为美国“国半”产品，由差分前级、对称放大、驱动级、输出级组成，内设超温保护输出短路过载保护，最大VCC为±30V，芯片最高温度150℃。
当频率lkHz、8Ω负载时，输出功率约20W，本文中作为驱动级，用以减小非线性失真及提高稳定性。负载阻抗设定为3000，因IC功耗减小，性能改善且稳定，只在LM675T本身散热器上安装小型散热器即可。
输出级由MOSFET对管2SK135/2SJ50组成，电路采用直接耦合OCL方式。两只恒流二极管E452构成恒流驱动，使其输入阻抗更高。输出级中点电压经10kΩ和1kΩ分压反馈到LM675T的反相输入端，以抑制中点的零点漂移。47P电容作为高频校正，使高频截止频率在290kHz以下，以防止高频寄生振荡。据外刊所称，此放大器输入信号为1.2Vrms，在80Ω负载上可有22W输出功率，非线性失真不超出0.1％，频响在10Hz—293kHz为一3dB，10Hz—70kHz为OdB。LM675T具有极高的共模抑制比，因此该机供电只采用2x20WAC整流，6800μF+1μF两组电容滤波已足够输出两组28VDC的对称电源。MOSFET对管也可采用2SK134/2SJ49或2SK133/2SJK8代换，注意后两种型号VDSS较低，±Vce以不超过±28V为限。用常用IC驱动双极型功放管属OCL放大器常规使用，此时的三极输出管属电流放大器。当驱动MOSFET时则成为V/I变换作用，其要求IC也有所区别。MOSFET纯系电压驱动，首先驱动IC要有足够的信号电压输出，一般功率型MOSFET-SEPP输出级电路属源极输出器，其电压增益必然接近OdB，就是说其驱动电压接近满功率输出电压。上述电路中LM675T本身满功率输出为20W/80以上，输出信号电压基本与该放大器相当，加八MOSFET的目的，不过是利用MOSFET的特性改善输出效果而已。所以将LM675T的负载阻抗选择3000以上，如此一来在MOSFET的高输入阻抗上，负载电流减少而输出电压损失不大，功率型IC的低输出阻抗特性也保持了MOSFET输出级有良好的频率响应。由此可见，此放大器中IC选择必须注意，一是Vcc的额定值不能太低，否则即使驱动器功率足够大，输出电压将偏低。根据MOSFET特性，IC的供电电压以>±25V为宜，如输出管功率较大，则选择±Vcc>30V者为宜。
为了使驱动器有低输出阻抗特性，其本身输出功率也不宜太小。诚然利用小功率通用运放也可组成此类前级，但必须在后续电路中加入共射极电压驱动极，同时以中功率射极输出器降低其输出阻抗，既构成通用OCL放大器前级，其结果使电路过分复杂化。
根据上述要求，LM675T是有特殊性的，首先它不像通常的单片功放那样，为了在便携式设备中广泛应用而采用过低供电电压。其静态Vcc最大值为±30V，应用最大值为±25V，本例中更是超值运用于±28V，可见供电电压对电压驱动器之重要性。而通常的单片IC功放，为了能适应移动状态的电池供电设备，大多采用较低的Vcc供电，显然不适于此种电路。众多双电源供电的单片功放中，只有TDA2030A可用于±22V供电都还略显不足，可是该放大器选用少见的LM675T，是迫不得已之举。
如果欲采用一般低压单片IC组成MOS-FET放大器，则必须在IC之后加人中功率NPN、PNP对管组成共射极电压放大器，必要时还需加入阻抗变换器。所以看似简单的电路设计，必须有严苛的条件，仿制者切忌盲目进行。
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