NO NFB输出级出现在上世纪末，MOSFET管上市初期由日本人提出的一种电路程式。其实，所谓无负反馈提法颇有耸人听闻之嫌，NO NFB只是利用MOSFET管的温度特性取消输出级的负反馈。电路总体结构是前级放大部分不变，双路推挽差分前级和驱动级之间采用大环路交直流负反馈，一则改善线性，二则使驱动级之前保持动态全对称状态，稳定中点电压为0V。输出级则采用电容耦合的独立直流通路，配人独立的偏压稳定电路，依托MOSFET的负温度系数特性，使零点漂移限制在较低水平。
此种电路结构提倡者的论点是：将输出级独立置于大环路交直流负反馈之外，可避免扬声器产生的逆向感应电势经反馈加于电压放大器之前级，NO NFB倡导者认为此感应电势失真极大，成为音质劣化之原凶，从驱动级中点输出提供反馈电压则无弊端。显然此种理论与上世纪盛行日本的MFB（磁场提供反馈电压的一种电路形式）相矛盾，两者孰优孰劣尚有待实践证明，目前难以定论。
再者，功率型MOSFET管，实有正负两种温度系数特性，仅在VGS-ID特性曲线处于稍高于ID截止点（前述0点）附近，ID具有近似为0的温度系数。输出管动态工作中瞬间工作点不可能止于O点，其温度系数地就随VGS-ID曲线而变动，欲使输出级中，点电压不变，几乎是难以置信的。
据日刊关于此类放大器的实验报告中也称“…放大器在接通电源瞬间，输出级输出中占电压，约在±50mV以内移动，数分钟后则可维持在场效应管±lOmV以内……”。即使上述并不理想的结果，还是在前级后面均采用高稳定度稳压电源供电，同时全部放大器件采用精选互补对管条件下得到的。
为了了解此放大器的全貌，以下介绍一款实验电路，上图为输出100W的NO NFB放大器电路，下图为前级部分。电路结构与前面文章的OCL放大器近乎相同，全部采用上下两臂对称的推挽电路。由于前级部分各级放大选择了不同的管型，本前级中驱动级有两级，Q7、Q18为双极型中功率管，Q9、Q10为MOSFET驱动级，输出具有低阻抗驱动电压的大功率输出级。其实可将本期下图视为一台小功率OCL功放，电路与前面文章的OCL放大器雷同。为了使Q9、Q10有更稳定的温度特性，加用011作为放大式温度补偿。本期下图为与此配用的A类100W/4Ω(50W/80)输出级。A类输出级的静态I。=根号P/2R（P为输出功率，R为负载阻抗0），所以50W/80时ID=1.77A，100W/40时为Io=3.54A。当4Ω电阻上欲达100W功率则必须有5Arms的音频电流，其最大恒为5根号2≈7.07Amax。A类状态可认为静态电流为最大电流值的中点，所以必须用四组输出管并联才能达到3.54A的要求。如此，每组输出管的ID就达到3.54A/4=0.885A的要求。并联推挽的A类输出级，VCC33V时静态总电流为3.54A，最大信号峰值电流可达其两倍，这是设计电源所必须考虑的。
输出级为电容耦合、直流电路独立的电路，因此它和前级无直流联系，必须加八独立的中点电压稳定电路（已如前述的中点调整VR1、VR2、012、D12以及8只电流负反馈电阻）。当不加入0.22Ω电阻时，输出级中点电压能达到士50mV以内，加入该电阻则可稳定在±20mV以内。此种电路组合前级部分中点电压由直流负反馈稳定于0V，但与各级无关。
此种电路组合实际与前文介绍的用电子管作前级放大的MOSFET相似，虽然输出级中点只有±50mV漂移，但仍不能保证长期稳定，扬声器的安全仍有危险下图的末级调整首先将两只VR置中间位、（约2.5kΩ）后开机，先调整VR1，使各0.22Ω电阻的压降约为0.18V，然后调整VR2，使中点电压为0V。开机约10分钟以上，管温上升ID会有所减小，随即反复调整，使之平衡，保持基本稳定。
调整时因各管参数差异，应以0.8A为最大标准。对于0.64A以下（即0.22Ω电阻上压降低于0.14V）的一组对管应予更换。调整后冷态开机，中间电压约±40mV，十分钟后变为ov，据称开机瞬间扬声器毫无冲击噪声，但原文作者仍提醒开机时前级先通电，关机则先关断输出级电源，如此说来，还是加装扬声器保护为妥。
本文关键字：功放 音频功率放大-放大器，单元电路 - 音频功率放大-放大器
