1、配线方法
并联连接时理想的配线方法是“均一并且最短”。从装置的量产化观点来看，很难完全满足这个要求。
因此，需要尽可能向接近理想化方向下工夫，为此，有以下基本的注意事项：
1)驱动电路配线
IGBT模块在并联连接时，受门极电路配线的电感和IGBT的输入电容的影响，门极电压上升时有时会产生寄生振荡，为了防止这种振荡，要在IGBT各门极上串联门极电阻。
驱动电路的发射极配线被连接在与主电路不同的位置时，并联连接的元件的瞬态性电流分配（特别是开通时）变得不均衡。然而，IGBT模块中设置了驱动电路使用的辅助发射极端子，只要使用这个端子，驱动配线便能够均等配线，能够抑制由驱动电路的配线方法引起的瞬态性电流不均衡。另外，从元件引出的配线应从中央部伸出，紧密拧成一体，尽量远离主电路配线，布局时注意避免相互受到感应。
2)主电路配线
当主电路配线的电阻部分和电感部分不均等的时候，并联连接的元件的电流分配会产生不均衡。
另外，如果主电路配线的电感部分大，IGBT关断时的浪涌电压将变大。因此，为了减低配线的电感和平衡各IGBT模块的温度，应考虑将并联连接的IGBT模块尽可能紧密地配置，配线要尽可能均等化。
另外，将集电极和发射极的伸出线从中央部位伸出，为避免相互感应，伸出线不要与集电极和发射极的配线平行配线。
2、元件特性和电流分配的关系
VCE（sat）的不均性是元件本身的特性影响电流分配的因素。
ｎ个元件并联连接时，如果设可以流过的最大电流集中流过1个元件的情况作为最坏的条件，则：
在此，IC（max）表示元件额定值、RBSOA或发生损耗所容许的每个元件的最大电流。由于发生损耗根据使用条件（交换频率、驱动条件、散热条
件、缓冲条件等）的不同而有差异，需要特别注意。
比如：α=16%、IC（max）=200A、n=4时，可计算出ΣI=634.4，设计时，并联连接的全电流不要超过该ΣI。请注意即使n=4，也不是单纯地
ΣI=200×4=800A。
下图（左）表示VCE（sat）的不均性和电流分配的不均衡的关系。U系列IGBT下图（右）所示，由于其输出特性的温度系数为正特性，因此与N系列的IGBT相比，电流不平衡率α变小了。
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