设计IBGT模块门极正偏压电压：+VGE(导通期间)的注意事项

　　设计IBGT模块门极正偏压电压：+VGE(导通期间)的注意事项如下：
　　(1)请将+V_GE设计在G-E间最大额定电压V_GES=±20Vmax.的范围内。
　　(2)电源电压的变动推荐在±10%范围内。
　　(3)导通期间的C-E间饱和电压（VCE_（sat））随+V_GE变化，+V_GE越高饱和电压越低。
　　(4)+VGE越高，开通交换时的时间和损耗越小。
　　(5)+VGE越高，开通时（FWD反向恢复时）的对置支路越容易产生浪涌电压。
　　(6)即使是在IGBT断开的时间段内，由于FWD的反向恢复时的dv/dt会发生误动作，形成脉冲状的集电极电流，从而产生不必要的发热。这种现象被称为dv/dt误触发，+V_GE越高越容易发生。
　　(7)在U系列的IGBT的情况下，+V_GE越高，短路电流值越高。
　　(8)+V_GE越高，短路最大耐受量越小。

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