设计IBGT模块门极反偏压电压:-VGE(阻断期间)的注意事项
设计IBGT模块门极反偏压电压:-VGE(阻断期间)的注意事项
点击数:7929 次 录入时间:03-04 12:02:19 整理:http://www.55dianzi.com 科研成果
设计IBGT模块门极反偏压电压:-VGE(阻断期间)的注意事项如下:
(1)请将V
GE设计在G-E间最大额定电压V
GES=±20Vmax.的范围内。
(2)电源电压的变动推荐在±10%范围内。
(3)IGBT的关断特性依存于-V
GE,特别是集电极电流开始关断部分的特性在很大程度上依存于-V
GE。因此,-V
GE越大,关断交换时的时间和损耗越小。
(4)dv/dt误触发在-V
GE小的情况下也有发生,所以至少要设定在-5V以上。尤其是门极配线长的情况下要注意。
本文关键字:行业 网站 科研成果,电子知识资料 - 科研成果