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图7：EPC2001氮化镓场效应晶体管的晶片级LGA 封装， 尺寸为大约4mm x 1.6mm。
结论
本章讨论了增强型氮化镓场效应晶体管的基本电学和机械特性，从中可以看到它们与目前最先进的硅功率MOSFET 相比，具有其独特的优势。由于硅功率MOSFET 从三十年前推出至今已经过了很长时间的改进，因此我们有理由相信，未来几年氮化镓功率晶体管的基本结构和几何尺寸的优化将呈现类似的改进历程。
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