您当前的位置:五五电子网电子知识电子知识资料工艺技术多器件并联匀流匹配问题的处理 正文
多器件并联匀流匹配问题的处理

多器件并联匀流匹配问题的处理

点击数:7176 次   录入时间:03-04 11:35:38   整理:http://www.55dianzi.com   工艺技术

3 测试结果和计算匹配

  

  

  

  应用户要求,尚需给出在ITM=300 A,即ITAV=100 A时的并联均流匹配的分组结果,这是实际使用中的真实的常规情况。为此,以ITM=300 A为中心,分别以150 A和450 A作为新的V1、V2值的测试或计算电流,利用表1 中的450 A的结果,再加150 A的结果,如表2 所列。在表2中的参数上加了角标O,是为了和表1中的参数符号相区别,表2中的数据一目了然,无需多加说明。

  

4 结语

  1)由表1 到表2,从I TM=900 A到ITM=300 A,也即从通态伏安特性曲线的高电流段下降到低电流段,反映结电压的门槛电压是降低的,这正是并联均流所需要的。而反映体内压降的斜率电阻是稍许增加的,但这并不影响并联均流。出于并联均流的需要,在产品样本中,给出两套通态门槛电压、通态斜率电阻值是完全必要的,有的国外样本就是这样做的。

  2)两个表中的数据都是近期在联均流测试中获得的数据,看上去有些理想化,不够典型,但作为并联均流测试筛选匹配器件的方法是很清晰的。通常认为并联均流的器件必须选同一批次的,因而测试筛选匹配工作容易得多,即免去了开通时间一致的匹配筛选。器件并联均流中的测试(或计算)电流的选取必须由用户的实际电流而定,这是特别要注意的前提条件。

  3)上述并联均流的方法是经过多次失败总结而得来的,我们曾采取的方法有:

  (1)将注重点放在开通参数上,如确保触发参数一致,然而,当在应用中确保了门极触发脉冲的幅度和宽度后,其对并联均流的影响很小;

  (2)将注重点放在通态平均电流IT AV和通态平均压降VT上,按文献[1]提供的均流系数的方法进行匹配筛选,虽然通过了用户的应用要求,但总还不够理想,这是因为通态平均压降VT 反映的是稳定后的平均效果,这样变化因素更多更难控制,不如采用瞬时值优越;

  (3)采用额定通态峰值电压VTM值进行匹配筛选,仅以一点值且往往又不是真正的工作点值为筛选参数,所以其局限性更大。

  4)一台整机的均流器件的更换,原则上是采用同一批次器件。如果更换为不同厂家的产品,就必须在同一条件下,选通态门槛电压、通态斜率电阻值完全近似的,且还必须测试开通时间并匹配,否则并联均流会失败。这方面的教训也很多。

  5)大量器件(如8个及以上)在一条线上并联装配,因磁场作用,往往出现边缘电流集中的问题,由于和现场关系密切,对用户来讲,会认真解决的。

  6)实践反复证明,依据用户的要求,采用V1、V2值的测试(或计算)确定通态门槛电压、通态斜率电阻值,进而匹配均流器件是一个方便简捷实用的好办法。按照这样的均流匹配方法,在一定条件下,省掉电抗器,实现了晶闸管的直接并联。

参考文献

[1] 肖芳桂. 三万安培晶闸管''三合一'' 整流装置[J]. 电力电子技术,1984,1:16.
[2] 肖芳桂. 多串多并大功率晶闸管变流装置主电路元件的合理设计问题[C]. 第三届电力电子学会论文集,上海. 1986:123-125.
[3] 莫正康. 半导体变流技术[M]. 北京:机械工业出版社,1992:90-92.
[4] 田上芳朗等. 大容量变换装置中多个元件串并联的问题[J]. 国外电力电子技术,1983,2:45-49.
[5] 维捷斯拉夫·本达等. 功率半导体器件- 理论及应用[M]. 吴郁等译. 北京:化学工业出版社,2005:5,319-32.
[6] 陆地.浅谈并联硅器件的均流问题[R].五届一次理事暨报告会,1999,5.
[7] 王正元. 世纪更迭中的电力电子器件[R]. 五届一次理事暨报告会,1999,5.
[8] A Herlet. The Forward CharacteristIC of SILicon Power Rectifiers at High Current Densities [J]. Solid_State Electoron,1968,11(No.8)717-742.



上一页  [1] [2] 


本文关键字:暂无联系方式工艺技术电子知识资料 - 工艺技术

《多器件并联匀流匹配问题的处理》相关文章>>>