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IGBT栅极电阻的计算

IGBT栅极电阻的计算

点击数:7899 次   录入时间:03-04 11:39:06   整理:http://www.55dianzi.com   器件命名及常用参数

  在大多数的应用中,导通栅极电阻RG(on)比关断栅极电阻RG(off)小。根据各自的参数,RG(off)约为RG(on)的两倍。

  在应用中使寄生电感最小很重要,尤其是在直流环节电路中。保持IGBT关断过电压在IGBT数据表的指定范围内是必要的,特别是在短路情况下。例如,降低短路情况下过电压的一个简单的方法是采用软关断电路。在发生短路时,软关断电路增大RG(off)所在支路的阻抗,并以更慢的速度关掉IGBT。赛米控IGBT驱动器解决方案SKYPER?32PROR具有软关断功能。该驱动器的数据表可在www.SEMIKRON.com的驱动电子产品页获得。

  注意:每个应用所选择的栅极电阻应由用户的技术专家进行验证。

  最小栅极阻抗–最大栅极峰值电流

  栅极电阻决定栅极峰值电流IGM。增大栅极峰值电流将减少导通和关断时间以及开关损耗。

  栅级峰值电流的最大值和栅级电阻的最小值分别由驱动器输出级的性能决定。驱动器的数据表中给出了峰值电流的最大值和栅级电阻的最小值。这些值都比须予以考虑,以避免造成驱动器的损坏。在实际中,由于IGBT模块的内部电阻RG(int)和栅极控制通道上的电感,栅级电流可能要小一些,IGBT的数据表中给出了RG(int)的值。

  栅极电流

45

  计算:

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