门极可关断晶闸管来自英语的Gate Turn- Off Thvristor，简称GTO，如图1-3所示。GTO也是普通晶闸管的派生器件，20世纪50年代末期，由于受到传统半导体生产工‘艺的限制，GTO一直处于低电压、小功率的水平上。70年代末美国首先采用半导体微电子集成化工艺和高压技术工艺相结合，研制出高电压、大功率GTO器件样品，随后世界各大公司相继掌握了这项技术，并迅速发展为工业产品。1984年就研制出4500V/2500A的GTO器件，近年来，先进水平的GTO已达9000V/1000A或6000V/3000A，由于GTO晶闸管具有门极控制的自关断性能，是比较理想的全控型电力电子器件之一。随着高电压、大功率GTO器件的迅速发展，GTO在牵引动力、大功率风机、泵类（水泵、油泵）和冶金轧钢的变频调速系统中获得了越来越广泛的应用。由于GTO开关频率的提高，变频器可采用PWM（脉宽调制）等先进技术控制，既降低了谐波损耗及转矩脉动，又提高了系统快速性，并改善了功率因数。这些优点在电力机车、内燃机车和电动车辆变频系统中应用时呈现得更为突出。
GTO应用中的问题主要有两个：
(l)缓冲问题。当关断GTO时，阳极电流很快下降，而阳极电位VA升高，电路中很小的电感都会引起尖峰电压，虽然尖峰电压的幅值未必很高，但却极为有害，因为它会使局部的密集电流造成局部发热，导致所谓二次击穿损害。为抑制尖峰电压，减少功率损耗必须设计合适的缓冲电路，。如图1-4所示，其中C。为缓冲电容，电阻R。用来限制电容放电流，二极管VDs为使电阻旁路而加的。
图1 3门极可关断晶闸管
图1 -4 GTO的缓冲电路
(2)驱动问题。GTO在导通时与普通晶闸管一样，只是在关断时门极要流过一个相当大的负电流。虽然关断时间很短，但负电流必颏要有很大幅值，典型的数值为被关断阳极电流的1／3。所以GTO的驱动电路体积大，也比较复杂，这是GTO的主要缺点。
3．功率场效应晶体管(MOSFET)
功率场效应晶体管( Power MOSFET--Power Metal Oxide Semiconductor Field Transisto‘)（金属氧化物半导体场效应晶体管）又称为电力MOSFET，也有的用P- MOSFET表示。根据结构形式不同，功率MOSFET分为VVMOSFET和VDMOSFET两种基本类型，其中VDMOSFET具有高集成度、高耐压、低结电容和高速等特点，使用更为广泛，VDMOSFET
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