1、 功率场效应晶体管(POWER MOSFET) 它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G
其工作特点是，G、S间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小，主电路的漏极电流Id也跟着改变。由于G、S间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，MOSFET还具有热稳定性好、安全工作区大 等优点。
但是，功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。
2、 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构(MOS结构)的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极
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