通孔刻蚀工艺的检测技术研究（4）

不同检测设备的对通孔刻蚀的检测结果

由于暗场检测仪器的接受的更多的信号源都是有一定角度的，所以这种检测设备会对晶圆的表面更敏感。所以在对通孔刻蚀后晶圆进行检测结果来看，能抓到更多的是表面的微粒以及通孔刻蚀过程中的聚合物残留。所以暗场检测仪器在对通孔刻蚀检测结果不尽如人意，它只能对通孔刻蚀过程后芯片表面的残留进行有效的检测，可是对于通孔刻蚀状态没法完全反映（如图7所示）。


根据明场检测仪器对通孔刻蚀的检测结果，发现明场检测技术只能抓住对通孔未刻蚀开的缺陷，而对于刻蚀过程中产生的刻蚀不完全缺陷则很难检测到。结果表明，由于此缺陷在通孔内太过深入，探测器能够收集到的反射电子较少，信号很弱，导致明场检测技术无法正常而有效的检测到这类缺陷的存在（如图8所示）。

电子束检测技术以电压衬度像为主要内容，其优点是可在不详细了解电路内部单元的情况下，利用高能电子束与集成电路的相互作用而进行集成电路的故障定位和失效机理分析。电压衬度像可对金属布线层上和电路单元上的电位进行分析，从而判断电路逻辑是否正确。

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