2 拓扑结构及其特点
2.1 矩阵变频器
矩阵式变换器,主要由矩阵开关以m×n阵列形式构成,当用作电机驱动时m和n的值都取3,组成矩阵变频器,其电路拓扑如图1所示。
图1 矩阵变换器
虚线框内为矩阵开关,由两支反串联的IGBT构成,也可以由两支反并联的晶闸管构成,它的作用是实现电流的双向控制。
(1)特点:
● 可以实现四象限运行;
● 无需电解电容器;
● 无需电力变压器;
● 体积小,重量轻;
● 效率高。
(2)缺点:
● 开关型功率器件数量多;
● 功率器件需要能耗型吸收电路;
● 采用IGBT时,受器件耐压限制,高电压变换难于实现。
2.2 交—交变频器
交—交型变频器,主要由电力变压器和三个单相交—交变换器共同组成,一般通过星形连接形成三相输出,电路拓扑结构如图2所示。
图2 交—交变频器
虚线框内为单相交—交变换器功率单元,由数支反并联的晶闸管构成,作用也是实现可换向整流控制。但是需要说明的是,晶闸管的关断需要依赖电源交流电压的自然换向才能实现。
(1)特点:
● 可以实现四象限运行;
● 无需电解电容器;
● 效率较高。
(2)缺点:
● 需要电力变压器,体积大,较重;
● 晶闸管数量多,需要能耗型吸收电路;
● 晶闸管的关断依赖电源的交流电压;
● 输出谐波较大;
● 输出频率范围因谐波原因受到较大的限制。
2.3 H桥级联型高压变频器
H桥级联型高压变频器,主要由移相式输入变压器和多个H桥单相逆变单元共同组成,单元与单元之间串联,并最终进行星形连接,从而实现三相输出。如图3所示,是一个3kV H桥级联型高压变频器的电路拓扑形式,它的每一个相电压由3个H桥单元串联而成。
图3 H桥级联型高压变频器
虚线框内为H桥单相逆变单元,由三相输入整流、滤波电容组和H桥逆变电路(全桥)共同组成,本质是一个AC-DC-AC变换器。
(1)特点:
● 功率因数高;
● 输入、输出电流波形接近正弦波,谐波小;
● 效率较高;
● 高电压变换容易实现。
(2)缺点:
● 需要复杂的电力变压器;
● 体积大,较重;
● 功率器件数量多;
● 依赖直流电容器,如果采用电解电容器,还需要定期维护。
2.4 矩阵级联型高压变频器
本文提出的矩阵级联型高压变频器,主要由移相式输入变压器和多个矩阵单相变换单元共同组成,它是在H桥级联型变频器基础上,将矩阵变换单元引入并替代H桥单相逆变单元而形成的,其单元与单元之间也采取串联及星形连形式,并最终实现三相输出的。拓扑结构如图4所示,是一个3kV矩阵级联型高压变频器的电路形式,它的每一个相电压由3个3×2矩阵变换单元串联而成,三相共需要9个这样的单元。
图4 矩阵级联型高压变频器
虚线框内为3×2矩阵变换单元,通过虚拟整流技术及可三电平输出的PWM控制技术,实现了三相交流电输入和单相三电平交流电的输出,可以适应感性负载的变化。
(1)特点:
● 可以实现四象限运行;
● 无需电解电容器,寿命较长;
● 变流器的体积较H桥单元的小;
● 输入、输出电流波形接近正弦波,谐波小;
● 功率因数高;
● 效率较高;
● 高电压变换容易实现;
● 输出频率范围宽。
(2)缺点:
● 需要复杂的电力变压器,体积大,较重;
● 功率器件数量多;
● 功率器件需要能耗型吸收电路。
3 矩阵级联型变频器的实现方法
矩阵级联型高压变频器,采用3×2矩阵变换单元相互串联而成,实现了高电压的输出,具有与H桥级联型高压变频器相似的特点,同时又具备矩阵、交—交变换器的四象限运行能力。
其实现方法是:三相高压交流电经移相变压器的降压、隔离和相移,形成互差一定角度的三相交流电。将该三相交流电分别送到各个矩阵变换单元,经虚拟整流、换向、PWM斩波控制和三电平转换,得到单相的交流电输出。将数台矩阵变换单元的输出端串联起来,并组合成星形,便得到了可直接驱动高压电动机的三相交流电。每台矩阵变换单元通过一对光纤接受控制器的指令和PWM信号,同时也能向控制器传送状态和告警信息。矩阵变换单元,采用虚拟整流技术,没有真正的直流环节,不需要平波电容器,所以使用寿命得到延长,可以减少维护量,甚至可以设计出免维护的产品。
3.1 虚拟整流技术
虚拟整流技术的实现,主要通过三相同步检测电路取得同步控制信号,然后控制功率器件来模拟二极管桥式整流电路对三相交流电进行整流,同时防止输入的三相交流电相间短路。其原理如图9所示,是一个输出方向固定的虚拟整流电路。仿真波形如图5所示,它们分别是矩阵变换单元的三相输入电压、6路同步信号和虚拟整流后得到的输出电压波形。
本文关键字:变频器 电工文摘,电工技术 - 电工文摘
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