霍尔器件的原理

　　霍尔效应是一种磁电效应。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场。则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显。而铁磁金属在居里温度以下时，将呈现极强的霍尔效应。如图所示。

　　式中Rh——霍尔系数；I——通过的电流：

　　B_一垂直干I的磁感应强度；d——霍尔元件的厚度。

　　其中Rh／d称为霍尔元件的灵敏度，其单位是mV/（mA·T）。

　　用半导体材料制成的霍尔元件具有对磁场敏感、结梅简单而可靠、成本低廉、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点，主要应用在以下几个方面：测量磁场、测量半导体特性、磁流体发电、电磁无损探伤、霍尔传感器等。

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