IGBT管驱动电路要求

　　IGBT是MOSFET管与双极晶体管的复合器件，既有MOSFET易驱动的优点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点，其频率特性介于MOSFET管与功率晶体管之间，可正常工作于数十千赫兹的频率范围内。为了让IGBT安全、可靠地工作，其栅极应连接与之匹配的驱动电路。
　　
　　1.驱动电路的要求简介
　　
　　（1）合适的栅极驱动电压
　　
　　栅极正向驱动电压的大小将对电路胜能影响重大，必须正确选择。当正向驱动电压增大时，IGBT的导通电阻下降，则导通损耗减小。如果正向驱动电压过大，易造成IGBT损坏；若正向驱动电压过小，易使IGBT退出饱和导通区而进入线性放大区，IGBT易过热损坏。通常，UGe取值为12V～18V，典型值为15V。
　　
　　另外，为了防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通，在IGBT关断时，可给栅极加上一定的负偏压，以提高IGBT的抗干扰能力，该负压通常取－10V～－5V。
　　
　　（2）足够的驱动电流
　　
　　由于IGBT的三极间存在着较大的寄生电容（数千皮法），在驱动脉冲电压的上升及下降沿期间，存在较大的充放电电流。为了满足其导通和关断的动态要求，则要求其栅极驱动电路要具有一定的峰值电流输出能力，使IGBT在正常工作及过载情况下不致于退出饱和导通区而损坏。
　　
　　（3）合适的开关频率
　　
　　虽然IGBT的快速导通与关断有利于提高工作频率，减小开关损耗，但在大电感负载下（如电磁炉、大功率电机等），IGBT的开关频率不宜过大，因为大电感会在快速导通和关断期间产生很高的尖峰电压，极有可能造成IGBT或其他元器件损坏。

本文关键字：暂无联系方式电路基础知识，电子学习 - 基础知识 - 电路基础知识