BJT又常称为晶体管。它有三个电极，常见的BJT外形如图1所示。根据结构不同，BJT 一般可分成两种类型：NPN型和PNP型。其结构示意图、管芯剖面图及表示符号如图2所示。位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度低，位于上层的N区是发射区，势杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，因而集电区面积很大，从三块半导体上各自接出的一根引线就是BJT的三个电极，它们分别叫做发射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称为发射区、基区和集电区。发射区与基区间的PN结称为发射结，基区与集电区间的PN结称为集电极。
BJT工作于放大状态的条件：
1．器件内部条件：在制造工艺上要求发射区掺杂浓度高，基区很薄且杂质浓度低；集电区面积大，且掺杂浓度不高。
2．外部电路条件：要使发射结正向偏置，集电结反向偏置。以共基电路为例，外加电压如图所示。图中VBB使发射结正偏，VCC使集电极反偏。
发射区向基区注入电子：发射结的正向电压使发射区电子扩散到基区，形成发
射极电流IE。
电子在基区中的扩散与复合：扩散到基区少数电子与基区中的空穴复合，电源VEE不断从基区拉走电子，不断供给基区空穴形成了基区电流IB。
集电结收集基区的电子：集电极反向电压，有利收集扩散到集电结边缘的电子，形成集电极电流IC。
少数载流子形成反向饱和电流：集电结加反向电压，基区和集电区中少数载流子在结电场作用下形成反向漂移电流，称为反向饱和电流ICBO，它的数值是很小，这个电流受温度影响很大。
在满足放大条件的情况下，各极电流之间的关系为:
IC= 
IB＋ICEO
IE=IC＋IB
如果忽略ICEO ，则有
IC≈
IEN-发射区向基区扩散所形成的电子电流；
IEP-基区向发射区扩散所形成的共穴流；
IBN-基区内复合运动所形成的电流；
ICN-基区少子漂移至集电区所形成的电流；
ICBO-少子在集电区与基区之间的漂移运动所形成的电流；
IE-发射极电流，IB-基极电流，IC-集电极电流；
根据BJT内部载流子传输分析，则有：
IE= IEN + IEP= ICN + IBN + ICBO （1）
IC = ICN + ICBO （2）
IB = IBN + IEP –ICBO （3）
从外部看 IE= IC + IB (4)
设共基直流电流放大系数为 
，由式（2）得
IC = aIE + ICBO (5)
又设定义共射直流电流放大系数为
将式（4）代入式（5），则可得
(6)
其中 
定义共射交流电流放大系数为b， 
一般有 
定义共基交流电流放大系数为a, 
一般有
所以当 
；
时有
（7）
（8）
将式（8）代入式（4）有 （9）
在放大电路中，通过改变vBE改变iB或iE，由变量DiB或DiE产生DiC，再通过集电极负载电阻Rc，把电流的控制和放大作用转化为电压放大作用，产生Dvo=DiCRc。
共基放大电路：
变
共射放大电路：
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根据BJT放大工作状态下电流分配关系aIE≈ IC可组成一简单放大电路如图1所示。
发射结的外加电压 vEB=VEE+DvI，由于外加电压的变化，将使发射极电变化DiE（如DiE=1mA），DvI的微小变化就可以引起IE的很大变化，而IC=aIE，所以又相应引起IC的变化（当a=0.98时，DiC=0.98mA），DiC通过接在集电极上的负载电阻RL（1kW）上产生一个变化的电压DvO（DvO=DiC´RL=0.98mA´1kW=0.98V），则从RL取出来的变化电压DvO随时间的变化规律和DvI相同，但幅度却大了许多倍。所增大的倍数称为电压增益，即
该电路的发射极作为信号输入端，以集电极作输出端，基极作为输入、输出回路的共同端，称为共基电路。
同理，根据bIB≈ IC电流分配关系可组成共射电路。
图XX_02
共发射极电路以发射极作为共同端，以基极为输入端，集电极为输出端，如图2所示。
如在基极输入端加入一个待放大的信号DvI=20mV，这样，发射结电压vBE就在原来VBB的基础上叠加了一个DvI，于是发射极电流DiE也按DvI的规律变化，因为BJT内电流分配是一定的，所以相应的DiB和DiC也将按DvI的规律变化。也就是说，当DiB按DvI的规律改变时，DiC也将随之而变。设a=0.98，当DvI变化20mV时，能引起基极电流的变化DiB=20mA，根据iB＝(1-a)iE，则发射极电流变量为
相应的集电极电流变量DiC=aDiE=0.98´1mA=0.98mA。则RL=1kW上所得的电压变化DvO= –DiCRL= –0.98´1kW= –0.98V。可见DvO比DvI增大了许多倍，其电压增益为
读者可根据（1+b）IB=IC电流分配关系可画出共集极电路。
BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系曲线，它是BJT内部载流子运动的外部表现。了解它的特性就比了解它的内部载流子的运动显得更为重要。
输入特性函数式为
输入特性曲线如图所示
由于实际使用时，vCE总是大于1V，通常只要画出vCE>1V以后的任何一条输入特性就可代表vCE>1V以后的各种情况了。
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BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系曲线，它是BJT内部载流子运动的外部表现。了解它的特性就比了解它的内部载流子的运动显得更为重要。
由于BJT有三个电极，它的V-I特性在实际应用中，通常是利用专用图示仪对输入、输出特性进行测量、显示，或通过实验进行逐点测量。
输入特性是指当集电极与发射极之间电压vCE为某一常数时，输入回路中加在BJT基极与发射极之间的电压vBE与基极电流iB之间的关系曲线，用函数关系表示为
输入特性如图所示。比较图中vCE=1V和vCE=0V的两条输入特性可见，vCE=1V的一条特性向右移动了一段距离，这是由于当vCE=1V时，集电结加了反向电压，集电结吸引电子的能力加强，使得从发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应于相同的vBE，流向基极的电流iB比原来vCE=0时减小了，特性曲线也就相应地向右移动了。
严格地说，vCE不同，所得的输入特性应有所不同，但实际上vCE>1V以后的输入特性与vCE=1V的特性曲线非常接近。因为当vCE>1V以后，只要vBE保持不变，则从发射区发射到基区的电子一定，而集电结所加的反向电压大到1V以后已能把这些电子中的绝大部分拉到集电结来，以至vCE再增加，iB也不再明显减小，故vCE>1V后的输入特性基本重合，所以通常只要画出vCE>1V以后的任何一条输入特性就可代表vCE>1V以后的各种情况了。
输出特性函数式为
输出特性曲线
iB=20uA： 随着vCE的增加，iC发生相应变化。
在输出特性的起始部分很陡，vCE略有增加时，iC增加很快。
当vCE超过约1V后，特性曲线变得比较平坦。
iB为不同值： 可得到一组输出特性曲线。
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输出特性是在基极电流iB一定的情况下，BJT的输出回路中（此处指集电极回路），集电极与发射极之间的电压vCE与集电极电流iC之间的关系曲线。
NPN型硅BJT的输出特性如图所示。由图可见，各条特性曲线的形状基本上是相同的，现取其中一条（例如iB=40uA）加以说明。
输出特性的起始部分很陡，vCE略有增加时，iC增加很快，这是由于在vCE很小时（约1V以下），集电结的反向电压很小，对到达基区的电子吸引力不够，这时受vCE的影响很大。vCE稍有增加，从基区到集电区的电子增加。故iC随vCE的增加而增加。当vCE超过某一数值（约1V）后，特性曲线变得比较平坦。这是由于vCE大于1V以后，集电结的电场已足够强，能使发射区扩散到基区的电子绝大部分都到达集电区，故vCE再增加，iC就增加不多了。改变iB的值，即可得到一组输出特性曲线。由式iC=biB可知，在vCE大于零点几伏以后，输出特性是一组间隔基本均匀，比较平坦的平行直线。
实际上，从共射极输出特性可以看出，特性比较平坦的部分随着vCE的增加略向上倾斜。这可解释如下：
由共射极电路可知，vCE= vCB+ vBE，当vCE增加时，由于vBE变化较少（例如硅管的vBE一般为0.7V左右），故vCB（集电结反向偏压）随之增加。vCB的增加使集电结的空间电荷区的宽度增加，致使基区有效宽度减小，这样在基区内载流子的复合机会减少，使电流放大系数增大，在iB不变的情况下，iC将随vCE增大，特性曲线向上倾斜，这种现象称为基区宽度调制效应。
对于锗BJT，其输入特性与硅管相比，在较小的 
值下，就可达到较大的iB值。 
值一般为0.2V左右；其输出特性，初始上升部分较陡，集电极-发射极间反向饱和电流ICEO值较大。
BJT的三个工作区的特点及条件
1、截止区：
工作条件：VBE< Von， vCE> vBE （Von 为发射极导通电压 ）
特点：IB=0，iC»0，VCE» VCC
2、放大区
工作条件：VBE>Von，vCE>vBE
特点：DiC=bDIB，
（Ics为集电极饱和电流）
3、饱和区：
工作条件： 
。
特点：VBE>Von，vCE>vBE，DiC≠bDIB，
， 
。
BJT的参数，表明其性能的优劣和电流、电压工作范围。它可作为选用BJT的依据。这些参数归纳起来分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。
一、直流参数
1．共射直流电流放大系数 （
） 
，
2．共基直流电流放大系数（ 
） 
3．极间反向电流ICBO和ICEO
ICBO是发射极开路时，集电结的反向饱和电流，ICEO是基极开路时，集电极与发射极间的穿透电流， 
。
选用BJT时要选择ICBO、ICEO尽可能小， 
、 
不要过大的管子。
二、交流参数
1．共射交流电流放大系数（b ） 
。
1．共基交流电流放大系数（a 
。
3．特征频率fT：当b下降为1时所对应的信号频率为特征频率fT。
三、极限参数
（1）集电极最大允许电流ICM
ICM是指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。
（2）集电极最大允许功率损耗PCM
PCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。
PCM= iCvCE （1）
3）反向击穿电压
① V（BR）EBO
V（BR）EBO是指集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。
② V（BR）CBO
V（BR）CBO是指发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。
③ V（BR）CEO
V（BR）CEO是指基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。V（BR）CEO<< V（BR）CBO。
各击穿电压大小之间有如下的关系：
V（BR）CBO> V（BR）CES> V（BR）CER> V（BR）CEO
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