问题的提出：在固定偏流电路中，当更换管子或是环境温度变化时，会引起管子参数变化，从而使得电路的工作点发生上、下移动，当移到不合适的位置会造成放大电路无法正常工作。
工作点不稳定的原因：
1）电源电压及电路参数变化
2）器件老化
3）BJT的性能参数（ICBO、VBE、b等）随温度变化。
温度对BJT的性能参数的影响
归纳
① ICBO、b、VBE随温度T升高的结果，都集中表现在Q点电流IC的增大。
② 硅管的ICBO小，温度的变化主要考虑对VBE和b的影响，。
③ 锗管的ICBO大，ICBO的温度影响对锗管是主要的。
一、稳定工作点的措施
（1）针对ICBO的影响，可设法使基极电流IB随温度的升高而自动减小。
（2）针对VBE的影响，可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。
二、射极偏置电路稳定工作点的原理：
电路参数选择使电路满足I1>>IB条件，
可得 VB=Rb2VCC/（Rb1+ Rb2）。
当温度上升时——IC（IE）增加——IERe增加——
VBE减小（因VBE=VB–IERe，而VB一定）——IB自动减小——结果牵制了IC的增加，IC基本恒定。
设计此种电路时，一般可选取：
I1=（5~10）IB （硅管）
I1=（10~20）IB （锗管）
VB=（3~5）V （硅管）
详细文字说明
由上一节的分析可知，BJT参数ICBO、VBE、b随温度变化对Q点的影响，最终都表现在使Q点电流IC增加。从这一现象出发，在温度变化时，如果能设法使IC近似维持恒定，问题就可得到解决。例如，可采取两方面的措施：
（1）针对ICBO的影响，可设法使基极电流IB随温度的升高而自动减小。
（2）针对VBE的影响，可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。
射极偏置电路是可实现上面两点设想的电路。这个电路稳定工作点的物理过程是这样的：利用Rb1和Rb2组成的分压器以固定基极电位。如果I1>>IB（I1是流经Rb1、Rb2的电流），就可近似地认为基极电位VB»Rb2VCC/（Rb1+ Rb2）。在此条件下，当温度上升时，IC（IE）将增加，由于IE的增加，在Re上产生的压降IERe也要增加，IERe的增加部分回送到基极-发射极回路去控制VBE，使外加于管子的VBE减小（因VBE=VB–IERe，而VB又被Rb1和Rb2所固定），由于VBE的减小使IB自动减小，结果牵制了IC的增加，从而使IC基本恒定。这就是反馈控制的原理。
由上述分析可知，I愈大于IB及VB愈大于VBE，则该电路稳定Q的效果愈好。为兼顾其他指标，设计此种电路时，一般可选取
I1=（5~10）IB （硅管）
I1=（10~20）IB （锗管）
VB=（3~5）V （硅管）
VB=（1~3）V （锗管）
射极偏置电路的直流通路如图所示。
在I1>> IB及VB>> VBE的条件下，可认为I1»I2，VB» VE，于是有
,
利用上式可以分别求得Q点的IC、IB及VCE。归纳起来求射极偏置电路静点的流程为 
在前述静态分析的基础上作动态分析
（1）画出电路的小信号模型等效电路
根据交流通路画出小信号模型等效电路如图1所示。
（2）求电压增益
（
）
（3）求输入电阻和输出电阻
输入电阻
由图2可知，电路输入端在外加测试电压 
的作用下，相应的测试电流 
为
输出电阻
考虑BJT的输出电阻rce，按照输出电阻的定义可画出求输出电阻时的等效电路，如图2所示。
先求出 
，
在基极回路和集电极回路里，根据KVL可得：
因 
式中
通常 
，故有Ro≈Rc
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