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晶体三极管的负阻特性

晶体三极管的负阻特性

点击数:7156 次   录入时间:03-04 11:54:41   整理:http://www.55dianzi.com   电路基础知识
    晶体三极管有一项极限参数BVceo,它是指在基极开路时集电极一发射极间的击穿电压.通常情况下应使加在晶体三极管集电极与发射极之间的工作电压Uce不超过
BVceo,由于基极开路无基极电流,晶体三极管截止,只存在极微小的穿透电流ICeo,如图1所示。如果不断加大集电极与发射极之间的工作电压Uce,当达到BVceo时晶体三极管即发生击穿现象,其集电极电流Ic便急剧上升,如图1曲线中A—B段所示。当达到B点后,管压降Uce却随着电流Ic的增加而降低,如图l曲线中B-C段所示,这段区域称为负阻区,这时晶体三极管具有负阻特性。


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