本文介绍用双N管MOSFET组成的电源极性接反保护电路，其性能要比上图、中图方案好得多。保护电路如下图所示。其工作原理如下：当电源极性正确时，N沟道MOSFET中的二极管先给电路构成通路，即电源正极经负截、二极管后到负极。此时，MOSFET的源极S对地约0.7V，而栅极G对地为VCC，所以VGS近似等于Vcc-0.
7V，只要Vcc≥3V，MOSFET即可导通。实际通电后，MOSFET马上导通，电流是经过MOSFET，而不是经过二极管的。MOSFET导通后由于VSD远小于二极管正向压降，故电源利用率比二极管好得多。这一点可经下面的实验证实。在电源极性接反时，VGS-O．MOSFET截止，二极管反偏，电路得以保护。
式中Vz为稳压二极管的稳压值。
例如，VZ=10V，流过稳压二极管的电流为3mA，则R为12kΩ。
MOSFET的选取可采用双N管的功率MOSFET，如Si9955、Si9956及Si9959。它们的极限VDS、VGS及在VGS-10V的ID值如表1所示。
从表1可知.Si9956适合工作电压Vcc-12V以下的，而Si9955可适合36V的，而Si9959可适合48V的。
实验电路实验电路如图所示。
由5Ω／5W电阻代替负载电路，用1kΩ串接LED作负载通断指示。工作电压Vcc=5V。功率MOSFET采用Si9956。
接通电源后，LED亮，测电源电压为4.99V，测VSD=O.10V，VGS= 4.87V，-ID=0.964A（因为电流从源极S流向漏极D，所以ID是负的）。
下图电路适合Vcc-5V～12V，工作电流从2A~3A（要看Vcc电压大小而定，Vcc高，VGS大，ID也大）。 下图的电路也做了电源极性接反试验，Vcc用18V，将电源极性反接一分钟，然后恢复Vcc为5V，即按正确极性连接，电路工作正常，说明此电路保护极性接反是可靠的。
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