开关电源器件的导通损耗

开关电源除了开关损耗，开关元件的导通损耗也是不容忽略的。在低电压环境下，1.2~1.5V的超快速二极管的导通电压可能会使开关电源的效率损失20010甚至更多，因此在低电压应用中最好采用导通电压为0.SV左右的肖特基二极管，相对超快速二极管可以提高效率10%以上。如果采用MOSFET同步整流器，则效率可进一步提高。
　　
　　除了需要降低二极管的导通损耗外，开关管的导通损耗也是不容忽略的。在一般情况下，双极型功率晶体管的饱和电压在1V左右，在10V左右的低电压供电条件下所产生的导通损耗是不可忽视的。相对而言，在诸多类型的晶体管中，低压MOSFET的导通电压是最低的，可以低于0.2V甚至0.1V。所以，采用功率MOSFET作为开关管，可以有效地降低开关管的导通损耗。

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