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开关电源器件的导通损耗

开关电源器件的导通损耗

点击数:7335 次   录入时间:03-04 11:54:00   整理:http://www.55dianzi.com   稳压-电源电路
开关电源除了开关损耗,开关元件的导通损耗也是不容忽略的。在低电压环境下,1.2~1.5V的超快速二极管的导通电压可能会使开关电源的效率损失20010甚至更多,因此在低电压应用中最好采用导通电压为0.SV左右的肖特基二极管,相对超快速二极管可以提高效率10%以上。如果采用MOSFET同步整流器,则效率可进一步提高。
  
  除了需要降低二极管的导通损耗外,开关管的导通损耗也是不容忽略的。在一般情况下,双极型功率晶体管的饱和电压在1V左右,在10V左右的低电压供电条件下所产生的导通损耗是不可忽视的。相对而言,在诸多类型的晶体管中,低压MOSFET的导通电压是最低的,可以低于0.2V甚至0.1V。所以,采用功率MOSFET作为开关管,可以有效地降低开关管的导通损耗。


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