然后,内部FET导通,V X(图3)结点驱动至地,而高压FET的栅极保持恒定,导通高压FET。较低的FET用作一个低电阻栅极驱动器,而FET快速导通,获得了低导通损耗。当内部FET关断时,电感电流拉高SW结点,直到外接F E T 也关断。内部FET可看到的最高电压是栅极电压减外接FET的阈值电压。
关断的转换较慢,因为它与电感中的峰值电流成正比,但采用一个正确大小的FET时,一般就有了获得快速转换和低损耗的驱动电流,即使是低负载。整个B OM成本不到2 美元(千片)。
用ADIsimPower设计工具可以设计和仿真此电路。该工具可以设计出升压、SEPIC以及SEPIC-Cuk转换器,允许输入电压范围为1.8V~90V,输出电压为1.2V~90V。图4显示ADIsimPower工具与测量结果之间有很好的一致性。