1 引言
开关电源是近几年电源市场的焦点之一,它最大的优点是大幅度缩小变压器的体积和重量,这样就缩小了整个系统的体积和重量。一般说来,开关电源的重量是线性电源的1/4,相应的体积大概是线性电源的1/3。所以开关电源对低档的线性电源,尤其是20W以下的线性电源构成了威胁,大有取而代之之势。但是传统的开关电源除了PWM 和功率MOSFET之外还包括50个左右的分立元件,这不但增加了成本、体积,而且还使可靠性受到了影响。这主要是生产工艺上的原因,开关电源在集成化上一直没有突破。
近几年,随着生产工艺技术的成熟,已经能将低压控制单元和高压大功率管集成到同一块芯片之中。TI、ON SEMIconductor、Power、 Integrations等公司都已经有类似的产品,而国内则几乎是一片空白。由于开关电源在体积、重量、效率以及可靠性上的优势,它的研究和发展速度是惊人的。其主要应用领域有：①邮电通信：作程控交换机、移动通信基站电源;②计算机：作为各种PC机、服务器、工业控制机的开关电源;③家用电子产品：目前使用开关电源的家用电子产品有电视机、影碟机等;④其他行业：如电力、航天、军事等领域。
根据工艺的发展和市场的需要,将核心部分功率MOSFET和低压PWM控制器集成在一块芯片中。同时,还具有过热保护、过压保护、欠压锁定、自动重启动、过流保护等功能。这种新型的开关电源集成电路给电源系统带来了很多优势。该芯片交流输入可直接从电网接入,应用功耗低,成本低,体积小,同时还提高了系统的稳定性,降低了成本,使电子工程师的设计更加简单。该芯片可用于驱动一个单端接地电源系统,如接一个振荡回扫的二次线圈变压器后输出一直流电压。
2 工作原理
此开关电源为一中频集成模块,设计频率为 100kHz,最大占空比为70%,它包括一个恒频脉宽调制器和一个高集成度电源开关电路,其结构如图1所示。这个组合开关的高压侧可对从85~265V的交流电压进行连续控制,可以应用于多数常规电源系统。
通过一个光电耦合管,将负载变化情况反馈到芯片内部,反馈信号在2.7k的电阻上产生电压降,经过7kHz的低通滤波器,把高频开关噪音滤掉,以直流电压形式输入到PWM模块进行调节,产生占空比随反馈信号变化的脉冲波,通过驱动电路驱动功率MOSFET,从而实现了PWM的调节。除此之外,功率MOSFET的源极接一电阻,来实现每周期的限流保护。
正常情况下,1/8分频器输出信号使得功率 MOSFET导通,若故障发生,它的输出信号使得功率MOSFET关断,并且它自身开始计数,第1 个周期,功率MOSFET导通。若没有排除,以此规律循环下去;若故障排除,则进入正常工作状态。该IC外接变压器,实现AC-DC功能后,不同规格的变压器可获得不同的直流电压。
3 内部功能模块介绍
3.1 振荡器电路
如图2所示,该振荡器利用两个比较器轮流导通,对电容进行充放电,获得了在电压在2.7~4.1V震荡的锯齿波。其设计频率为100kHz,占空比为 70%。对电容充放电时,利用MOS管饱和区工作电流恒定的原理,实现恒流充放电。其等效简化电路模型如图3所示。充电时,开关S合到3端,可得
DQ=DU×C (1)
且DU=4.1-2.7=1.4v (3)
式中,C = 40pF, IP=18.6mA,可以计算出T P=3ms。 放电时,开关S打到8端,可得
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nbsp; 式中,IN=8mA,可以计算出 TN =7ms。
T=Tp+T N=10ms (5)
占空比的设计也是需要考虑的,当占空比提高后,整个IC及外接电路构成的电源效率都会提高。
但是又不能无限的提高,使之接近100%,这主要是变压器磁通的建立和恢复是有时间限制的。同时,长时间的导通,功率MOSFET容易烧坏。
3.2 偏置电路
该电路采用三管能隙基准电源,如图4所示。 T2的发射极电压如式(6)所示。由公式可知,利用等效热电压 Vt的正温度系数和Vbe 的负温度系数相互补偿,可使输出基准电压的温度系数接近为零 (由于T6和T2的Vbe相同,所以输出电压 Vref和T2发射极电压相同)。
3.3 PWM调制电路
由光耦管耦合过来的反应负载变化情况的信号首先经过一个7kHz的低通滤波器,然后送到PWM比较器和振荡器产生的锯齿波进行比较,从而实现脉宽调制。该低通滤波器的频率响应为
可作为设计参数使用。
3.4 过压保护,欠压锁定电路
设计的内部电路工作电压环境为7.5~8.6V,该电路如图5所示,由比较器C1,C2和电阻R1 、R2、R3、R 4组成。由于迟滞比较器的作用,当VCC 处于7.5~8.6V时,IC正常运行。当Vcc >8.6V时,C1输出高电平,直接使放电NMOS管导通,进行放电。该NMOS管设计得比较大,这样可以迅速地放电,使IC及时地回到安全状态。若该 Vcc故障仍然存在,将用八分频计数器来计数。这个八分频计数器使得功率MOSFET关闭,电容将在8个连续周期内反复充放电,8个周期后,若故障排除,整个IC进入正常工作状态,功率MOSFET开通。这种设计可大大减少功率MOSFET的耗散功率。当内部工作电压Vcc<7.5V时,C1输出一低电平,关闭驱动,同时驱动高压启动电路,对外接10μF电容进行充电。同时,该低电平也送入计数器计数,这样便实现了自启动功能。一般说来Vcc <7.5V,是由负载短路或过载引起电源变压器的附加线圈输出电压失落,没有足够的电压对芯片供电所致。
3.5 热关断电路
热关断电路如图6所示。正常情况下T =25℃,Vz=6.3V,V BE1=0.75V,VBEH=0.65V,此时 VH = R3 ( Vz -VBE1) / (R2+R3)=0.43V< VBEH
故Q1不导通,从而Vout 为高电平。
故障状态,稳压管的温度系数为正,而晶体管的VBE 为负温度系数。设计的温度保护能力(当T=150℃)为
同样计算可得VH(150℃)=0.46V,这样Q 2 导通,Vout为低电平。此信号直接关断功率MOSFET。同时这个脉冲信号也输入到1/8分频器,做计数用。
3.6 高压启动电路
高压启动电路如图7所示,当IC上电后,整个IC处于建立工作环境的状态。VDMOS的栅极为高电平,则该管导通,Out端有充电电流。当 VCC达到8.6V时,过压保护电路送来信号 Vstart为一低电平,使得P2导通,这样VDMOS截止。另外 R1的作用是充电电流过大时,使P1、Q1导通,使
VDMOS截止,起到保护作用。此充电电流能力设计值为3mA,超过该值,VDMOS就会截至。根据计算,整个IC建立工作环境所需的时间为40ms,与实际仿真结果相符。
3.7 驱动电路
设计驱动电路的目的是为了去除驱动信号的毛刺和对功率MOSFET的栅极起保护作用(图8)。正常时,N1、N2、N3都处于截止状态。当电路内部电源电压Vcc由低电平突然变为高电平时,电容C两端电压不能突变,这样N1导通,使输出为0。另外当IC突然上电时,由于功率MOSFET的栅漏电容的存在,使栅极的电压为高电平,但是由于设计中加了电阻 R和N3的存在,对栅极构成旁路,起到保护作用。最后就是如果IC突然断电时,则功率管漏极没有大电流供给。如果此时驱动为高电平,则可以从 R上卸流,最终使低电平变低。总之,N1、N2、N3对功率MOSFET 的栅极起保护作用。
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