续流二极管的开关特性

　　二极管反向恢复峰值电流vs.di/dt以及RG（以SKM200GB128D为例）和软恢复功能

　　在IGBT模块中，赛米控使用特殊设计优化的带软恢复功能的CAL（轴向寿命可控）二极管。这使得反向峰值电流小，从而桥路中IGBT的导通电流小。

　　驱动输出级

　　栅极驱动电路的驱动器输出级是一种典型的设计，采用了两个按图腾柱形式配置的MOSFET。两个MOSFET的栅极由相同的信号驱动。当信号为高电平时，N通道MOSFET开启，当信号为低电平时，P通道MOSFET导通，从而产生一个两个晶体管的推挽输出配置。MOSFET的输出级可有一路或两路输出。下表显示了用于对称或不对称栅极控制的不同解决方案。

　　连接RG(on), RG(off)

　　输出级有两路输出，适用于简便的非对称栅极控制。这使得栅极电阻可分解为两个电阻RG(on)和RG(off)，分别用于导通和关断。这种方式下，可以限制驱动器MOSFET开关期间产生的不可避免的从VG+到VG-的交叉电流。

　　然而，主要的优势在于本方案提供了对于导通过流、关断过压尖峰和短路特性进行单独优化导通和关断的可能性。

　　赛米控的驱动器解决方案，如SKYPER?32R或SKYPER?32PROR提供两路输出，用于简便的非对称控制。

　　赛米控驱动方案的数据表可从www.SEMIKRON.com的驱动电子产品页获得。

　　如果只有一路输出用于栅极电阻，仍旧可以使用非对称控制。

　　为了分别调整导通和关断特性，可以将电阻RG2和一个二极管串联起来并联在栅极电阻RG1上。

　　增大RG1将延长IGBT的关断时间。关断期间所感应的峰值过压将会减小。

　　增大RG2将延长IGBT的导通时间。续流二极管的反向峰值电流将会减小。

　　当MOSFET被开关时，如果不考虑延迟，这种配置会在MOSFET级引起短路。

　　只有一个栅极电阻的输出电路。导通和关断使用同一个电阻，因此是对称栅极控制。

　　当开关MOSFET时，如果不考虑延迟，这种配置会在MOSFET级引起短路。

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